[发明专利]结构晶片表面的改善方法无效
| 申请号： | 99816713.4 | 申请日： | 1999-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1352589A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | D·B·小彭德格拉斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24D11/00;B24D3/20;//H01L21/768H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对表面进行改善的方法,它包括下述步骤(a)将要改善的表面与磨具(40)的工作表面(47)接触,磨具包括具有第一相和第二相的相分离聚合物(44),其第一相比第二相硬;(b)将要改善的表面和固定的磨具作相对运动,在不用磨料浆液的条件下从要加工的表面上除去材料。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 晶片 表面 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.表面改善方法，其特征在于它包括下述步骤：(a)将要改善的表面与磨具的工作表面接触，该磨具包含具有第一相和第二相的相分离聚合物，其第一相比第二相硬；(b)将要改善的表面和固定的磨具作相对运动，在不用磨料浆液的条件下从要改善的表面上除去材料。
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