[发明专利]薄膜磁头的制造方法及其制造装置有效

专利信息
申请号: 00100490.5 申请日: 2000-01-28
公开(公告)号: CN1262503A 公开(公告)日: 2000-08-09
发明(设计)人: 加藤政人;宫岛茂信 申请(专利权)人: 阿尔卑斯电气株式会社
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/31
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 磁头 制造 方法 及其 装置
【说明书】:

发明涉及在对诸如磁盘装置等中使用的薄膜磁头实施研磨加工时,可以实施高精度研磨加工的薄膜磁头用制造方法以及制造装置。

现有的薄膜磁头通常是在由诸如氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)等材料构成的基板上,通过诸如溅射等方法依次叠层设置构成薄膜磁性元件用的、诸如绝缘层、磁性层和导电层等的薄膜层,进而根据需要通过诸如照相平版印刷方法和离子研磨方法等方法,对各薄膜层实施加工的方式制造的。

采用这种薄膜磁头制造方法,便可以在如图5所示的基板2上形成呈若干列的若干个薄膜磁性元件1(在图5中仅示出了其中的一部分)。薄膜磁性元件1可以是一种所谓的磁阻/电感型复合磁头,这种复合磁头具有与写入用电感型磁头形成为一体的、对记录信息实施读取用的磁性阻抗效应元件的磁阻型磁头(MR磁头)。与薄膜磁性元件1间的导通连接,可以通过与薄膜磁性元件1相导通的电极4实现。沿着虚线对基板2实施切断即可获得如图6所示的棒状滑动体(スライダバ-)3。

在制造磁阻型磁头时,需要依据预定值对位于所述薄膜磁性元件1中磁阻型磁头处的磁性阻抗效应元件的高度实施调整。对磁阻体高度值的这种调整,可以通过取若干个已形成的磁性阻抗效应元件中的某些个作为监测元件,进而对连接在磁性阻抗效应元件两个端部处的电极层之间的直流电阻值(DCR值)实施测定,同时对如图6所示的暴露表面(ABS面)3a实施研磨加工的方式进行。

通过在所述直流电阻值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内之前,持续对所述暴露表面3a实施加工的方式,便可以将磁性阻抗效应元件的高度值(磁阻体高度值)设定为适当的值。而且在使磁阻体高度值达到需要之后,按照如图6中的虚线部分对棒状滑动体3实施切断,便可以获得呈一个个形状的薄膜磁头。由所述棒状滑动体3处分离出的一个个基板即为滑动体(スライダ)。这种滑动体上的暴露表面3a将与记录媒体相对设置,并且由移动着的记录媒体处获得浮起力。

如果举例来说,可以利用如图8所示的研磨平台21,为获得所述的磁阻体高度值而实施研磨加工。即可以将如图6所示的棒状滑动体3中的暴露表面3a,抵接在所述研磨平台21处。随后对研磨平台21实施转动驱动,并且对棒状滑动体3上的暴露表面3a实施研磨加工。

图9为表示为获得所述磁阻体高度值而实施研磨加工用的示意性流程图。

研磨加工可以由向研磨平台21的上表面处供给研磨液而实施加工的粗加工(请参见图9A),以及根据需要实施的、向研磨平台21的上表面供给润滑油而实施加工的精加工(请参见图9B)构成。

如图9A所示的粗加工,可以通过一边对监测元件的直流电阻值实施监测,一边进行研磨加工的方式进行,进而在其进入至预定的直流电阻值范围之内时结束加工。

如图9B所示的精加工,可以通过类似的方式进行,即通过一边对监测元件的直流电阻值实施监测一边进行研磨加工的方式进行,当直流电阻值进入至与精加工制成品值相关的公差范围内时,即认为磁阻体高度值已进入至与精加工制成品值相关的公差范围内而结束加工。

然而如图9A、图9B所示的现有研磨方法,存在有在研磨加工后的薄膜磁头处,即在棒状滑动体3上的暴露表面3a与薄膜磁性元件1之间残存有差量的问题。

图11A为表示在研磨加工开始前、图11B为表示在加工过程中或在加工之后,棒状滑动体3与薄膜磁性元件1用的示意性侧面图。通过对薄膜磁性元件1实施的成膜作业(请参见图5所示的工序),可以形成有盖覆着薄膜磁性元件1的盖覆层5。这一盖覆层5可以由诸如氧化铝(Al2O3)和氧化硅(SiO2)等材料构成。

如图9A所示的粗加工,是通过向研磨平台21的表面供给包含有微粒的研磨液,并对暴露表面3a实施研磨加工的方式实施的。

主要由氧化铝和坡莫合金(NiFe)等材料构成的薄膜磁性元件1,被研磨的速度要比由诸如氧化铝-碳化钛(Al2O3-TiC)等材料构成的棒状滑动体3更快。因此在经过粗加工时,将会如图11B所示,在棒状滑动体3的暴露表面3a与薄膜磁性元件1的记录媒体相对面1a之间,容易产生差量。

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