[发明专利]减少转移器件泄漏的DRAM单元及其制造工艺

权利要求书

1．一种DRAM单元的转移器件的制造工艺，DRAM单元具有电容器、阈值电压以及截止电流，工艺包括以下步骤：

(a)形成具有源区、漏区、以及沟道区的硅衬底；以及

(b)将硼离子注入到硅衬底内，注入的步骤使沟道区的硼离子浓度最高，由此增加了DRAM单元的阈值电压，并降低了截止电流。

2．根据权利要求1的工艺，其中电容器为沟槽电容器和叠层电容器中的一种。

3．根据权利要求1的工艺，其中DRAM单元有一个埋置带，电容器为沟槽电容器，电容器通过埋置带电连接到转移器件。

4．根据权利要求1的工艺，还包括在步骤(b)之前在源区和漏区上形成掩模的步骤。

5．根据权利要求1的工艺，其中注入步骤包括以1KeV到20KeV的能量注入1×10¹²/cm²到10×10¹²/cm²的硼离子。

6．一种DRAM单元的转移器件的制造工艺，DRAM单元具有电容器、配套电路、阈值电压以及截止电流，转移器件具有源区、漏区、栅极和沟道区，工艺包括以下步骤：

(a)形成具有源区和漏区的硅衬底；

(b)将硼离子注入到硅衬底内，在衬底中形成表面浓硼部分；

(c)在源区和漏区上形成牺牲层；以及

(d)从至少一部分源区和漏区中除去硼离子，由此沟道的硼离子浓度高于源区和漏区的硼离子浓度，由此增加了DRAM单元的阈值电压，并降低了截止电流。

7．根据权利要求6的工艺，其中电容器为沟槽电容器和叠层电容器中的一种。

8．根据权利要求6的工艺，其中DRAM单元有一个埋置带，电容器为沟槽电容器，电容器通过埋置带电连接到转移器件。

9．根据权利要求6的工艺，其中注入步骤包括以1KeV到20KeV的能量注入1×10¹²/cm²到10×10¹²/cm²的硼离子。

10．根据权利要求6的工艺，还包括在步骤(b)和(c)之间的衬底上形成栅极的步骤(b1)，栅极具有侧壁。

11．根据权利要求10的工艺，在形成栅极的步骤(b1)和步骤(c)之间还包括以下步骤：

(ⅰ)在栅极侧壁上形成氧化层；

(ⅱ)在氧化层上形成氮化物层；

(ⅲ)在配套电路上形成块形掩模，在转移器件上留出开口；以及

(ⅳ)除去氧化层的露出部分，露出衬底的露出部分。

12．根据权利要求6的工艺，其中步骤(d)包括硼离子从与源区和漏区相邻的浓硼部分向外扩散到牺牲层内。

13．根据权利要求6的工艺，其中牺牲层为多晶硅。

14．根据权利要求6的工艺，其中牺牲层为氧化物。

15．根据权利要求12的工艺，其中在步骤(ⅱ)中通过快速热氧化向外扩散硼离子。

16．一种DRAM单元，包括转移器件、阈值电压以及截止电流，其中转移器件包括每个具有硼离子浓度的源区和漏区、栅极、以及与栅极相邻设置并且硼离子浓度高于源区和漏区硼离子浓度的沟道，由此增加了DRAM单元的阈值电压，并降低了截止电流。

17．根据权利要求16的DRAM单元，还包括电容器。

18．根据权利要求17的DRAM单元，其中电容器为沟槽电容器和叠层电容器中的一种。

19．根据权利要求16的DRAM单元，还包括电容器和埋置带。

20．根据权利要求19的DRAM单元，其中电容器为沟槽电容器，电容器通过埋置带电连接到转移器件。