[发明专利]在半导体晶片上形成铜层的方法

权利要求书

1.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：

将该晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室(10)具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，该电接点(18)向晶片(20)提供功率；

在第一功率电平上向晶片(20)提供第一时间周期长的第一功率；并且

在跟随第一时间周期的第二时间周期期间，向晶片(20)提供正脉冲的第二功率，该第二功率具有接通时间周期和断开时间周期，并且其中：(1)在第二时间周期的接通时间周期期间施加给晶片(20)的第二功率电平大于在第一时间周期期间所使用的第一功率电平；并且(2)在第二时间周期的断开时间周期期间施加给晶片(20)的第三功率电平小于在第一时间周期期间所使用的第一功率电平。

2.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：

将该晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室(10)具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，并且其中该控制系统(34)向晶片(20)提供功率；

在第一时间周期(252)期间向晶片(20)提供正脉冲功率，其中正脉冲功率在第一功率电平上具有接通周期，在第二功率电平上具有断开周期；

在跟随第一时间周期(252)的第二时间周期(254)期间，向晶片(20)提供第一固定功率，其中第一固定功率具有小于第一功率电平(250)且大于第二功率电平的第三功率电平；

在跟随第二时间周期(254)的第三时间周期(256)期间，向晶片(20)提供第二固定功率，其中第二固定功率具有大于第一功率电平(250)的第四功率电平。

3.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：

将该晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室(10)具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，并且其中该控制系统(34)向晶片(20)提供功率；并且

向晶片(20)提供脉冲功率，其中该脉冲功率包括第一接通时间周期(262)和第二接通时间周期(266)，其中在第一接通时间周期(262)期间施加的第一功率电平与第一正电流相关，在第二接通时间周期(266)期间施加的第二功率电平与第二正电流相关，并且其中第一正电流大于第二正电流。

4.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：

将该晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室(10)具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，并且其中该控制系统(34)向晶片(20)提供功率；

在第一时间周期(302)期间向晶片(20)提供正脉冲第一功率，其中该正脉冲第一功率在第一功率电平上还包括接通时间周期，在第二功率电平上还包括断开时间周期；

在跟随第一时间周期的第二时间周期(304)期间向晶片(20)提供负脉冲第二功率，其中该负脉冲第二功率在第三功率电平上还包括接通时间周期，在第四功率电平上还包括断开时间周期；以及

在跟随第二时间周期(304)的第三时间周期(306)期间向晶片(20)提供正脉冲第三功率，其中该正脉冲第三功率在第五功率电平上还包括接通时间周期，在第六功率电平上还包括断开时间周期，其中第五功率电平小于第一功率电平。

5.一种在晶片(20)上形成铜层的方法，该方法的特征在于：

将晶片(20)设置在电镀室(10)中，该电镀室具有一个控制系统(34)，其中该控制系统(34)通过至少一个电接点(18)电连接到晶片(20)，并且其中该控制系统(34)向晶片(20)提供功率；并且

向晶片(20)提供正脉冲功率，其中正脉冲功率包括接通时间周期(354)和断开时间周期(356)，并且其中该接通时间周期(354)小于该断开时间周期(356)。