[发明专利]电子传导相比例低的多相固体离子和电子传导膜及其制法

权利要求书

1．一种具有离子和电子传导率的多相固体电解质致密的或多孔基质，包括：

以混合的金属氧化物形式的具有离子传导率的第一相，和分布在整个基质中、是电子传导金属、合金或混合的金属氧化物的第二相，所说的第二相占所说基质体积的至少1％和小于30％。

2．权利要求1的基质，该基质是通过将所述第二相结合到粉末前体中而由粉末前体制备的，所述结合是在升高温度下从聚合物中沉积金属或金属氧化物而实现的，所说的聚合物是通过聚合在可聚合的有机单体或预聚合物中的螯合金属分散体来制造的，以便提供由所说的第一相和所说的第二相组成的所说的基质，所说的第一相是陶瓷材料，所说的第二相是金属或金属氧化物的颗粒，所说的颗粒粘结在所说陶瓷材料的外表面上。

3．权利要求1的基质，该基质是由至少两种粉末的混合物制备的，所说两种粉末的至少一种含有所说的第一相和所说的第二相的混合物。

4．权利要求1的基质，其中所说的第二相是均匀分布在整个所说的第一相中。

5．权利要求1的基质，其中离子和电子传导相包括两种连续的相互渗透网。

6．权利要求1的基质，还具有离子和电子传导率，在1000℃下于空气中每个都大于0.01s/cm。

7．权利要求1的基质，其中所说的第一相包括一种成分，选自通式为MCeO_x的掺杂氧化铈、掺杂氧化锆，其中M=镧系或Y；通式为MZrO_x的掺杂氧化锆，其中M=镧系、Y或Ca；LaSrGaMgO_x型；和通式为MBiO_x的掺杂氧化铋，其中M=Y、Mo、W，及其结合。

8．权利要求1的基质，其中所说的第二相包括选自Pd、Au、Ag、Pt、Ni、Co的金属、其合金、以及其结合。

9．权利要求1的基质，其中所说的第二相包括通式为LaSrMO_x的传导钙钛矿，其中M是过渡金属。

10．权利要求1的基质，其中所说的第二相沉积在第一相的颗粒表面上，方法是从第二相被螯合的液体可聚合的介质中沉积螯合的金属或金属氧化物。