[发明专利]高纯度铟化合物的制造方法及其应用无效
申请号: | 00112458.7 | 申请日: | 2000-08-16 |
公开(公告)号: | CN1338429A | 公开(公告)日: | 2002-03-06 |
发明(设计)人: | 牛澄波 | 申请(专利权)人: | 袁福寅 |
主分类号: | C01G15/00 | 分类号: | C01G15/00 |
代理公司: | 泰州市京泰专利事务所 | 代理人: | 杨惠民,冯森 |
地址: | 225423 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纯度 化合物 制造 方法 及其 应用 | ||
1、一种高纯度铟化合物制造方法,其特征在于它主要有如下步骤组成:
1)将铟锭用水淬法制成铟粒。
2)氢氧化铟的制备
a、酸解:将铟粒在盐酸中加热反应后,除去酸不溶物,再进行煮沸蒸干,经等温扩散法提纯制成InCl3·4H2O
b、提纯:经提纯的氨水与三氯化铟水溶液在一定温度下反应生成氢氧化铟,再经陈化或熟化过滤洗涤,在110-120℃的范围内干燥和粉碎,得氢氧化铟。
3)氧化铟的制备:将氢氧化铟在氧化的环境中加热到300℃左右,保温2-3小时,除去结晶水,升温烧至恒重,然后在高温下锻烧得到重量百分比为99.99%-99.999%氧化铟。
2、一种高纯度铟化物的应用,其特征在于它作为无汞碱锰电池的代汞剂,它主要由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成。
3、一种高纯度铟化物的应用,其特征在于它在镀铟集流体铜钉生产中的应用,采用电镀工艺,以铟作阳极,集流体铜钉作阴极,在镀液中用高纯铟盐作主盐,使集流体铜钉表层形成高纯度的铟金属镀层。
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