[发明专利]高纯度铟化合物的制造方法及其应用无效

专利信息
申请号: 00112458.7 申请日: 2000-08-16
公开(公告)号: CN1338429A 公开(公告)日: 2002-03-06
发明(设计)人: 牛澄波 申请(专利权)人: 袁福寅
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00
代理公司: 泰州市京泰专利事务所 代理人: 杨惠民,冯森
地址: 225423 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 纯度 化合物 制造 方法 及其 应用
【说明书】:

发明涉及高纯度铟化合物的制造方法及其应用。

目前使用的市场上使用的铟化合物纯度不高,杂质含量高,使其在电池等行业的应用受到限制。

本发明的目的是提供一种生产纯度高的铟化合物的制造方法。

本发明的另一个目的是提供纯度高铟化合物的应用。

为达到上述目的,本发明高纯度铟化合物的制造方法,它主要有如下步骤:

1、用水淬法将铟锭制成铟粒。

2、氢氧化铟的制备

1)酸解:将铟粒在盐酸中加热反应后,除去酸不溶物,再进行煮沸蒸干,经等温扩散法提纯制成InCl3·4H2O

2)提纯:经提纯的氨水与三氯化铟水溶液在一定温度下反应生成氢氧化铟,再经陈化或熟化过滤洗涤,在110-120℃的范围内干燥和粉碎,得氢氧化铟。

3、氧化铟的制备:将氢氧化铟在氧化的环境中加热到300℃左右,保温2-3小时,除去结晶水,升温烧至恒重,然后在高温下锻烧得到重量百分比为99.99%-99.999%氧化铟。

本发明的一种高纯度铟化物的应用,它作为无汞碱锰电池的代汞剂,主要由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成。

本发明的一种高纯度铟化物的另一种应用,它在镀铟集流体铜钉生产中,采用电镀工艺,以铟作阳极,集流体铜钉作阴极,在镀液中用高纯铟盐作主盐,使集流体铜钉表层形成高纯度的铟金属镀层。

由于本发明采用以盐酸作为酸解剂能够有效地溶解铟粒,除去部分杂质,加之采用经提纯的氨水,使氢氧化铟进行有效沉淀,进一步地除去杂质,使后工序制得铟的化合物纯度能够达到99.99%-99.999%,当高纯度的铟化合物作为代汞剂,镀有高纯度的铟的集流体铜钉,应用于电池工业,从而保证了它在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。

实施例:首先将购回的铟锭用水淬法制成小于3mm的铟粒,然后将清洗干净的铟粒在等温扩散后的盐酸中加热反应后,除去酸不溶物,再进行煮沸蒸干,经等温扩散法提纯制成InCl3·4H2O。然后将经亚氟法提纯的氨水与三氯化铟水溶液在一定温度下反应生成氢氧化铟,再经陈化或熟化,过滤洗涤,在110-120℃的范围内干燥和粉碎,得氢氧化铟。

将氢氧化铟在氧化的环境中加热到300℃左右,保温2-3小时,除去结晶水,升温烧至恒重,最后在高温下锻烧得到重量百分比为99.99%-99.999%氧化铟。

本发明高纯度铟化物,它作为无汞碱锰电池的代汞剂,主要由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成。

它在镀铟集流体铜钉生产中,采用电镀工艺,以铟作阳极,集流体铜钉作阴极,在镀液中用高纯铟盐作主盐,使集流体铜钉表层形成高纯度的铟金属镀层。

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