[发明专利]高分子基PTC材料制备的工艺方法

权利要求书

1、一种高分子基PTC材料制备的工艺方法，由包括高分子基体、导电粒子和助剂经密炼、挤出完成，其特征在于在待挤出料中或挤出过程中加入过氧化物引发剂、含大π键的小分子物质。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的在待挤出料中或挤出过程中加入含弧对电子的物质。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的在待挤出料中或挤出过程中加入含不饱和键的极性物质。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的过氧化物引发剂为有机过氧化物，其1分钟半衰期温度为130～220℃。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的挤出是采用双螺杆或单螺杆挤出机挤出。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的高分子基体为高密度聚乙烯(HDPE)、线性低密度聚乙烯(LLDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯——醋酸乙烯醋共聚物(EVA)、乙烯——丙烯酸共聚物(EAA)、聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚偏氯乙烯(PVDC)、聚砜(PSF)、聚硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的至少一种。

7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的导电粒子包括碳黑、金属粉末、碳纤维、SiC、Ni、TCNQ。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于所说的碳黑包括油炉法碳黑、槽法碳黑、导电碳黑、热裂碳黑和乙炔碳黑。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的含不饱和键的极性物质为丙烯酸、丙烯酸酯、顺丁酸二酸酐中的至少一种。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所说的含大π键的小分子物质为苯乙烯、甲基苯乙烯、二乙烯苯中的至少一种。

11、一种高分子基PTC材料制备的工艺方法，由包括高分子基体、导电粒子和助剂经密炼、挤出完成，其特征在于过氧化物引发剂与高分子基体、导电粒子、助剂一起参与密炼，密炼的温度低于过氧化物引发剂的分解温度，挤出过程中加入含弧对电子的小分子物质、含大π键的小分子物质和含不饱和键的极性物质。