[发明专利]二氧化钒纳米粉体和纳米陶瓷的制备方法

权利要求书

1．一种二氧化钒纳米粉体的制备方法，其特征是该制备方法的步骤为：

1)用H₂C₂O₄·2H₂O和N₂H₂·2HCl在盐酸介质中将V₂O₅还原制备VOCl₂溶液；

2)用步骤1)制得的VOCl₂溶液与(NH₄)₂CO₃或NH₄HCO₃反应制备氧钒(Ⅳ)碱式碳酸铵前驱体，在无水乙醇中将前驱体超声破碎至粒度≤2μm；

3)将步骤2)制得的前驱体在惰性气氛或含氧惰性气氛中热分解得VO₂粉体，加热温度350～700℃。

2．一种如权利要求1所述的二氧化钒粉体的制备方法，其特征是在VOCl₂溶液中加入Cr³⁺，控制溶液中Cr和V的摩尔比，制备掺Cr³⁺前驱体和V_1-xCr_xO₂(0＜x≤0．06)纳米粉体。

3．一种如权利要求1所述的二氧化钒粉体的制备方法，其特征是在VOCl₂溶液中加入MoO₂Cl₂或(NH₄)₂MoO₄被盐酸肼还原的溶液，或者在NH₄HCO₃或(NH₄)₂CO₃溶液中加入(NH₄)₂MoO₄溶液，制备掺Mo前驱体和V_1-xMo_xO₂(0＜x≤0．045)纳米粉体。

4．一种如权利要求1所述的二氧化钒粉体的制备方法，其特征是在VOCl₂溶液中加入WO₂Cl₂溶液，或者在NH₄HCO₃或(NH₄)₂CO₃溶液中加入(NH₄)₂WO₄溶液，制备掺W前驱体和V_1-xW_xO₂(0＜x≤0．028)纳米粉体。

5．一种用权利要求1、2所述的方法制得的二氧化钒纳米粉体制备纳米陶瓷的方法，其特征是将二氧化钒纳米粉体在400～800MPa下压片，然后抽真空或通惰性气体保护，在室温～800℃范围内保温脱去吸附气体，再在900～1100℃烧结1小时至4小时。

6．一种用权利要求3、4所述的方法制得的二氧化钒纳米粉体制备纳米陶瓷的方法，其特征是将二氧化钒纳米粉体在400～800MPa下压片，然后抽真空或通惰性气体保护，在室温～800℃范围内保温脱去吸附气体，再在900～1100℃烧结1小时至4小时。

7．一种如权利要求5所述的制备纳米陶瓷的方法，其特征是所采用的二氧化钒纳米粉体最好采用结晶态或准结晶态的纳米粉体。

8．一种如权利要求6所述的制备纳米陶瓷的方法，其特征是所采用的二氧化钒纳米粉体最好采用结晶态或准结晶态的纳米粉体。