[发明专利]形成位线接触和进行离子注入的方法

权利要求书

1．一种形成连接至一源极／漏极区的位线接触的方法，其步骤包括：

提供一基底，其内具有一源极／漏极区；

在基底中提供一下陷部分；

经由下陷部分将离子注入源极／漏极区；与

形成一位线，其与源极／漏极区接触。

2．如权利要求1所述的方法，其步骤还包含在将离子经由下陷部分注入源极／漏极氏之后施行回火处理。

3．如权利要求1所述的方法，其中基底的表面垂直于[100]晶格方向。

4．如权利要求1所述的方法，其中下陷部分是利用对基底的至少一部分以一各向同性蚀刻淮进行蚀刻而形成的。

5．如权利要求1所述的方法，其步骤还包括：

在基底的下陷部分之上提供一表面层；与

经由表面层将离子注入源极／漏极区。

6．如权利要求5所述的方法，其还包括将肯面层由基底上除去，之后再对源极／漏极区进行回火处理的步骤。

7．如权利要求5所述的方法，其还包括对源极／漏极区进行回火处理，之后再将表面层由基底上除去的步骤。

8．一种在半导体基底上进行离子注入的方法，其步骤包括：

提供具有一表面的一基底；

由该表面上去除材料以界定一第一区域；

经由第一区域将离子注入基底；与

对基底进行回火处理。

9．如权利要求8所述的方法，其中第一区域具有凹陷的形状。

10．如权利要求8所述的方法，其中由该表面上去除材料以界定一第一区域的步骤包括形成一下陷部分，其具有侧壁部分以及侧壁部分之间的中心部分。

11．如权利要求10所述的方法，还包括形成下陷部分的额外步骤以使该中心部分的形状比侧壁部分的形状平坦。

12．如权利要求8所述的方法，还包括在第一区域内提供一表面层的额外步骤，该表面层在第一区域的范围内具有均匀的厚度。

13．如权利要求12所述的方法，其中表面层的厚度由下列步骤决定：

在再结晶方向之间选择一所需角度θ；

决定离子注入于基底的距离Rp的一个突起范围；

决定沿着一第一轴线方向的突起标准差ΔRp；

决定沿首一第二轴线方向的突起标准差ΔY；与

解下列方程式以求得表面层的厚度t：

t=Rp+cosθ[[(ΔY sinθ)²+(ΔRp cosθ)²]^0．5]

14．如权利要求8所述的方法，其还包括下列步骤：

在经由第一区域将离子注入基底之前先在第一区域上提供一表面层；与

经由表面层与第一区域将离子注入基底内。

15．如权利要求14所述的方法，其还包括将材料由表面层中去除的步骤。