[发明专利]氟肝素双重修饰人工晶体的方法及产品无效
申请号: | 00122850.1 | 申请日: | 2000-08-30 |
公开(公告)号: | CN1340362A | 公开(公告)日: | 2002-03-20 |
发明(设计)人: | 顾汉卿;袁佳琴;陆茉珠;孙慧敏;郭红玉;王桂琴;张海文;李德军;徐延山 | 申请(专利权)人: | 天津开发区泰达生物材料与医学工程研究所 |
主分类号: | A61L27/00 | 分类号: | A61L27/00;A61F2/16 |
代理公司: | 天津市专利事务所 | 代理人: | 张国庆,王融生 |
地址: | 300457 天津市经*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 肝素 双重 修饰 人工 晶体 方法 产品 | ||
1.一种氟肝素双重修饰人工晶体的方法,其特征在于人工晶体表面经氟离子和肝素双重化学修饰的方法,应用载能离子束技术,在低温5~80℃条件下,采用离子注入技术对人工晶体表面实施氟离子注入,再进行肝素修饰,得到的人工晶体表面生物相容性增强,晶体表层,带有浅黄色。
2.根据权利要求1所述的氟肝素双重修饰人工晶体的方法,其特征是可离子化的氟化物,应用离子注入技术将氟离子注入人工晶体表面修饰而成。
3.根据权利要求1所述的氟肝素双重修饰人工晶体的方法其特征在于肝素的选择是采用经过硝酸降解后,分子量在2000~10000道尔顿的肝素成份,在低温5~80℃条件下,采用等离子技术修饰人工晶体表面。
4.根据权利要求1所述的氟肝素双重修饰人工晶体,其特征在于采用载能离子束技术,在低温5~80℃条件下,采用离子注入技术对人工晶体表面实施氟离子注入,再进行肝素修饰得到的人工晶体,本法得到的人工晶体表面生物相容性增强,带浅黄色近似于生理活体晶体。
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