[发明专利]半导体保护器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体保护器件，包括：

第一导电类型的第一阱；

第二导电类型的第二阱，其直接与所述第一阱连接；

第一导电类型的第三阱，其直接与所述第二阱的一个侧面连接，该侧面与连接所述第一阱的侧面相向设置，三个阱都形成在衬底上；

在第二导电类型的所述第二阱内形成的第一导电类型的第一扩散层；

形成在所述第一导电类型的所述第一阱内、且设置在与所述第一扩散层接近的相向位置上的第二导电类型的第二扩散层；

第二导电类型的第三扩散层，设置在第二导电类型的所述第二阱和第一导电类型的所述第三阱的边界部分上的位置处，以便桥接在它们之间，所述位置与第二导电类型的所述第二阱和第一导电类型的所述第一阱的边界部分上的位置不同，在该位置上，所述第一扩散层和所述第二扩散层接近地相向设置；和

设置在所述第一导电类型的所述第三阱内的第一导电类型的第四扩散层，该扩散层与所述第二导电类型的所述第三扩散层接近地相向形成；

其特征在于，所述第一和所述第三扩散层与第一端子连接，而所述第二和所述第四扩散层与第二端子连接。

2．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，所述第一端子是需要保护的半导体器件的输入端子，所述第二端子是接地端子。

3．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，所述第一扩散层、所述第二导电类型的所述第二阱、所述第一导电类型的所述第一阱和所述第二扩散层形成闸流管结构。

4．如权利要求3的半导体保护器件，其特征在于，从所述第一扩散层至所述第二扩散层的直线距离为2μm或更小。

5．如权利要求3所述的半导体保护器件，其特征在于，从所述第一扩散层至所述第二扩散层的直线距离为1μm或更小。

6．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，所述第三扩散层的大部分位置被设置在第二导电类型的所述第二阱内，并在所述第二导电类型的所述第二阱内设置的所述第三扩散层表面上的位置上设置接触。

7．如权利要求3所述的半导体保护器件，其特征在于，所述第三扩散层和所述第一导电类型的所述第三阱之间形成的二极管起到驱动所述闸流管结构的触发器的作用。

8．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，被保护的半导体器件由MOS型半导体元件构成。

9．如权利要求8所述的半导体保护器件，其特征在于，被保护的所述MOS型集成电路器件至少包括一个P型MOS晶体管和一个N型MOS晶体管形成的反相器，该反相器的栅极是所述输入/输出信号端子，该反相器的所述N型MOS晶体管的源极是所述接地端子。

10．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，当俯视时可见到所述第二阱在所述第一阱内形成岛。

11．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，所述半导体保护器件与被保护的MOS型集成电路器件结合使用，该MOS型集成电路器件具有至少一个接地端子和一个输入/输出信号端子，并被形成在衬底上，在半导体衬底上形成一个外部端子，通过第一电阻与所述输入/输出信号端子连接，并且其中所述半导体保护器件的第一端子与所述外部端子连接，而其第二端子与所述接地端子连接。

12．如权利要求1所述的半导体保护器件，其特征在于，所述半导体保护器件用作与被保护的MOS型集成电路器件结合的第二保护元件，该MOS型集成电路器件具有至少一个接地端子和一个输入/输出信号端子，一个外部端子、串联连接的第一和第二电阻、第一保护元件和接地布线，均形成在半导体衬底上，其中，所述第一电阻连接在形成于所述外部端子和与所述MOS型集成电路器件的至少一个输入/输出信号端子连接的所述第二电阻之间的连接点，所述第一保护元件连接在外部端子与所述接地布线一端之间，所述接地布线的另一端连接到所述MOS型集成电路器件的至少一个接地端子上，用作所述第二保护元件的所述半导体保护器件的第一端子还与形成在所述第一和第二电阻之间的连接点连接，而所述半导体保护器件的第二端子与所述MOS型集成电路器件的至少一个接地端子连接。