[发明专利]积层陶瓷电子元件的制造方法有效
| 申请号： | 00126278.5 | 申请日： | 2000-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1285598A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 大塚幸司 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 制造 方法 | ||
1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是包括对在内部由陶瓷层(7)和以贱金属膜形成的内部电极(5)、(6)数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行脱粘合剂处理的工序，和对脱粘合剂处理的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是使脱粘合剂后的陶瓷积层体(3)中的有机物含量为0.5～8.5重量％。
2．根据权利要求1记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是使上述脱粘合剂后的陶瓷积层体(3)中含1.0～5.0重量％的有机物。
3．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是包括对在内部由陶瓷层(7)和贱金属膜形成的内部电极(5)、(6)数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行脱粘合剂处理的工序，和对脱粘合剂处理的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是将内部电极(5)、(6)的脱粘合剂起始温度设定为高于陶瓷层(7)的脱粘合剂起始温度。
4．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是包括对在内部由陶瓷层(7)和以贱金属膜形成的内部电极(5)、(6)数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行脱粘合剂处理的工序，和对脱粘合剂处理的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是在对未烧成陶瓷积层体(3)进行脱粘合剂的处理工序中，将未烧成的陶瓷积层体(3)装入脱粘合剂炉内时，使用网孔比未烧成陶瓷积层体(3)小的容器。
5．根据权利要求1-4中任一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是在脱粘合剂处理工序中使用环境气。
6．根据权利要求5记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是上述环境气含惰性气体。
7．根据权利要求1-6中任何一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征是在脱粘合剂处理工序中，使脱粘合剂炉内压力高于大气压。
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