[发明专利]积层陶瓷电子元件的制造方法

说明书

本发明是关于积层陶瓷电容器等积层陶瓷电子元件的制造方法，特别是关于将未烧成的陶瓷积层体进行脱粘合剂处理后，再将该未烧成的陶瓷积层体进行烧成，制造积层电子元件的方法。

积层陶瓷电容器等积层陶瓷电子元件，在陶瓷积层体内部的厚度方向上具有重叠由导体膜构成的内部电极。在制造这样的积层陶瓷电子部件时，一般按照如下进行，即，将由有机粘合剂、分散剂和溶剂形成的粘合剂溶液与原料粉末进行混合，制成浆液，在由这些获得的陶瓷未烧结片上，用丝网印刷等印刷上电极图案，形成垒积状。

将获得的陶瓷积层体切割成所需尺寸的片状，这种片状的陶瓷积层体在烧成之前，进行去除有机粘合剂的脱粘合剂处理。

对片状陶瓷积层体进行脱粘合剂处理，当去除了其中的有机物成分时，陶瓷积层体会变得很脆，对陶瓷积层体的处理也很容易产生构造缺陷。由此，例如，在后面的烧成工序中使陶瓷积层体很容易产生缺口等缺陷。

如前所述，将未烧成的陶瓷积层体装入脱粘合剂炉中进行脱粘剂处理时，由于很难将炉内的环境气氛保持恒定，所以会产生部分环境气氛的差异。由此，将片状陶瓷积层体向炉内安放时，其中的不同位置会对有机粘合剂的去除量产生变化，结果带来的问题是，在脱粘合剂后的陶瓷积层体中所含有机物的量产生很大偏差，这就导致烧成后所得到的每个积层陶瓷电子元件制品的电特性存在很大偏差。

因此，本发明的目的是提供一种可行的制造方法，即，在脱除陶瓷积层体中粘合剂时，能够均匀地将各个陶瓷积层体中的有机物去除，抑制特性偏差，而且能够提高脱粘合剂处理后的陶瓷积层的处理，提高信赖性，获得没有构造缺陷的积层陶瓷电子元件。

为了达到上述目的，本发明是在对未烧成的陶瓷积层体3进行脱粘合剂处理时，使脱除粘合剂后的陶瓷积层体3中的有机物残存为0.5～8.5重量％，最好残存1.0～5.0重量％。在该脱粘合剂工序中，将未烧成陶瓷积层体3的内部电极5、6的脱粘合剂起始温度，设定为高于陶瓷层7的脱粘合剂起始温度。

即，本发明的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是在具有以下工序的积层陶瓷电子部件的制造方法中，使脱粘合剂后的陶瓷积层体3中含0.5～8.5重量％，最好含1.0～5.0重量％的有机物。方法包括将在内部由陶瓷层7和以贱金属膜形成的内部电极5、6数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行脱粘合剂处理的工序，和对脱除粘合剂的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序。

这样，通过脱粘合剂处理，使陶瓷积层体3中的绝大部分有机粘合剂在不燃烧下可分解去除，从而可防止片元件发生脱层或裂化。另一方面，通过在片状陶瓷积层体3中残存一些有机粘合剂，使陶瓷积层体3不会变得极端脆弱，脱粘合部处理后的陶瓷积层体3在后面的处理中不会造成结构缺陷，能够很容易地进行搬送陶瓷积层体3，在随后的烧成工序中也不会产生缺口。

脱粘合剂后的陶瓷积层体3中的有机物含量少于0.5重量％时，脱粘合剂处理后的陶瓷积层体3很容易产生缺口，降低了其处理性能，使陶瓷积层体3在不破损下难以搬送。另一方面，脱粘合剂后的陶瓷积层体3的陶瓷层7中有机物含量多于8.5重量％时，在脱粘合剂处理后的烧成工序中，烧成炉内易产生分解的有机物，不能使烧成炉内的环境气氛保持稳定。进而希望脱粘合剂后的陶瓷积层体3中含1.0～5.0重量％的有机物，这样可确实消除烧成时烧成炉内的环境气氛变动问题和积层陶瓷电子元件的构造缺陷问题。

进而，本发明积层陶瓷电子元件的特征是，在具有如下工序的积层陶瓷电子元件制造方法中，将内部电极5、6的脱粘合剂起始温度设定为高于陶瓷层7的脱粘合剂起始温度。该方法包括对在内部由陶瓷层7和以贱金属膜构成的内部电极5、6，数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行脱粘合剂处理的工序，和对脱粘合剂处理的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序。

根据以上所述，在脱粘合剂处理工序中，使内部电极5、6的脱粘合剂处理迟于陶瓷层7的脱粘合剂处理。即，在脱粘合剂处理工序中，首先从靠近陶瓷积层体3表面部分的陶瓷层7开始脱除粘合剂，随后迟一些再开始陶瓷积层体3较内部的内部电极5、6脱除粘合剂。这样可在整个陶瓷积层体3内均匀地去除有机粘合剂。