[发明专利]发光化合物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光化合物半导体装置，包括：

一绝缘基板；

一第一GaN型半导体层，形成于该绝缘基板的顶表面上，该第一GaN型半导体层的中央部分的表面高于该第一GaN型半导体层的周缘部分的表面；

一有源层，形成于该第一GaN型半导体层的中央部分的表面上方，用以产生光；

一第二GaN型半导体层，形成于该有源层上方；

一第一电极，形成于该第二GaN型半导体层上；以及

一导电层，经由涂覆而覆盖该绝缘基板侧壁与底表面且电连接于该第一GaN型半导体层的侧壁。

2.如权利要求1所述发光化合物半导体装置，还包括：

一第二电极，形成于该第一GaN型半导体层的周缘部分的表面，且未电连接至该有源层、该第二GaN型半导体层、与该第一电极，

其中该导电层电连接于该第二电极。

3.如权利要求1所述发光化合物半导体装置，还包括：

一附着层，夹于该绝缘基板的侧壁与底表面和该导电层之间。

4.如权利要求1所述发光化合物半导体装置，其中该导电层形成为一镜状反射器。

5.如权利要求1所述发光化合物半导体装置，其中该导电层选自于由一铟锡氧化物层、一镉锡氧化物层、以及一氧化锌层所组成的族群中的一层。

6.如权利要求1所述发光化合物半导体装置，其中该导电层为一薄金属层，其厚度处于0.001μm至1μm的范围内，由选自于由Au、Ni、Pt、Al、Sn、In、Cr、Ti、以及其合金所组成的族群中的一材料所形成。

7.一种发光化合物半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

准备一绝缘基板；

形成一第一GaN型半导体层于该绝缘基板上；

形成一有源层于该第一GaN型半导体层上方，用以产生光；

形成一第二GaN型半导体层于该有源层上方；

分别蚀刻该第二GaN型半导体层、该有源层、与该第一GaN型半导体层的周缘部分，使得该第一GaN型半导体层的该周缘部分的显露表面低于该第一GaN型半导体层的中央部分的表面；

形成一第一电极于该第二GaN型半导体层上；以及

涂覆一导电层，以覆盖该绝缘基板的侧壁与底表面且电连接于该第一GaN型半导体层的侧壁。

8.如权利要求7所述发光化合物半导体装置的制造方法，还包括下列步骤：

形成一第二电极于该第一GaN型半导体层的周缘部分的显露表面上，且未电连接于该有源层、该第二GaN型半导体层、与该第一电极。

9.如权利要求7所述发光化合物半导体装置的制造方法，还包括下列步骤：

在涂覆该导电层的该步骤之前，形成一附着层于该绝缘基板的侧壁与底表面上。

10.如权利要求7所述发光化合物半导体装置的制造方法，其中该导电层形成为一镜状反射器。

11.如权利要求7所述发光化合物半导体装置的制造方法，其中该导电层选自于由一铟锡氧化物层、一镉锡氧化物层、以及一氧化锌层所组成的族群中的一层。

12.如权利要求7所述发光化合物半导体装置的制造方法，其中该导电层为一薄金属层，其厚度处于0.001μm至1μm的范围内，由选自于由Au、Ni、Pt、Al、Sn、In、Cr、Ti、以及其合金所组成的族群中的一材料所形成。