[发明专利]带有包含可修整电容器的薄膜电路的模块无效
申请号: | 00130790.8 | 申请日: | 2000-12-18 |
公开(公告)号: | CN1301041A | 公开(公告)日: | 2001-06-27 |
发明(设计)人: | C·科佩蒂;M·弗罗伊斯特;F·H·M·桑德斯 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 包含 修整 电容器 薄膜 电路 模块 | ||
本发明涉及带有位于绝缘材料衬底上的薄膜电路的模块,它包括至少一个无源元件,以及细调所述无源元件的电容值的方法。
大量电子器件发展的趋势的特征是:微型化、更高可靠性、随着功能的增强的更低或至少恒定的价格。经验表明在很多电器中,例如电视机或录像机中,无源元件的数量实际约占元件总量的70%。移动电话领域的迅猛发展、无绳电话产品的不断微型化和对更高频率的使用对各个元件提出了更高的要求。尤其是不断微型化导致基本材料和无源元件制造工艺中的不断变化对最终电子规范有更强烈的影响。
这对于电容值尤其准确,在单层电容器的情况下,电容值等于有效电极表面积与介质层的介电常数的积除以介质层的厚度。
保持制造成本尽可能低的可能性由制造分立无源电子元件例如电容器、电感器和电阻器的成本提供,其具有较宽的规范,可以通过后来的修整措施细调以达到期望的最终规范。
然而,微型化的前进步伐又使分立无源元件的制造、处理和安装越来越困难。使用集成的无源元件可解决这个问题。在这个技术中,例如电阻器(R)、电容器(C)和电感器(L)的无源元件被合并到集成的基本电路和系统中。在薄膜技术领域,通过掩膜在绝缘材料的载体板上获得了所谓薄膜电路,该电路与印刷电路板等价但具有小得多的规模。薄膜电路的制造是已知的,通常通过各种连续的涂层和构造工艺完成。
气相淀积方法和溅射方法用于淀积各个层。在这些方法中,层厚的涨落以及无源元件的较小的横向尺寸是主要的影响。因此,电容器的电容值由有效电板表面积和介质层的厚度确定。在无源电子元件的制造中更好的工艺控制会产生更高的工艺成本。
本发明的目的是提供一种带有包括至少一个电容器的薄膜电路的模块,所述电容器的电容值可以修整。
该目的通过一个带有位于绝缘材料衬底上的薄膜电路的模块达到,其包括至少一个无源元件,其具有至少第一和第二导电层和一个介质层,其中至少一个导电层具有带凹口的构造表面,一个保护层,和至少一个穿过模块的接触孔,和覆盖模块和接触孔的一个构造的金属层。
在第一和/或第二导电层的构造表面中的凹口的结果是无源元件由几个并联的电容器组成。因此,无源元件的电容值等于并联电容器的电容值的和。总的电容值可以通过去除一个或几个小的并联电容器来细调。
特别优选的是所述凹口具有不同的宽度。
更特别优选的是所述凹口具有互不相同的间距。
电容值能够被调整的精度依赖于导电层的设计。凹口使导电层具有指形设计。导电层中不同宽度的指越多,能够越精确地调整电容值。
因此优选的是第一导电层和第二导电层包括Cu、Al、掺Cu的Al、掺Mg的Al、掺Si的Al、掺Si和Cu的Al。
这些材料制成的导电层可以通过聚焦的激光束照射及其伴随的加热效应转变成局域非导电状态。当使用这些材料时导电层部分通过发生的加热效应而气化。
本发明还涉及细调无源元件的电容值的方法,所述无源元件包括至少第一和第二导电层以及一电介质层,其中至少一个导电层具有带凹口的构造表面,在带有位于绝缘材料衬底上的薄膜电路、具有保护层的模块中,至少一个接触孔穿过所述模块,一构造的金属层覆盖所述模块和所述接触孔,其中通过聚焦的激光束照射在至少一个导电层上获得加热效应,部分导电层被气化。
在制造了带有包含至少一个电容器的薄膜电路的模块之后,确定电容器的电容值。电容值是从至少一个导电层的构造表面中的凹口获得的小的并联电容器的和。然后通过聚焦激光束照射去除适当数目的并联电容器以获得适当的电容值。
下面参照两个附图和实施例详细解释本发明,其中
图1是概略表示带有包括一个电容器的薄膜电路的模块的结构的剖面图;
图2表示带有凹口的导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的