[发明专利]半透明氧化铝烧结体及其制备方法

权利要求书

1．一种半透明氧化铝烧结体，其中碱金属元素和碱土金属元素的总含量为50ppm或更少，并且对600nm波长的光在0.85mm厚的烧结体上的线性透光度为40％或更高。

2．根据权利要求1的半透明氧化铝烧结体，其中氧化铝烧结体的平均晶粒大小为5μm或更大到50μm或更小，并且最大晶粒大小(在晶体结构中最大结构的颗粒直径)是平均晶粒大小的1.5倍或更大。

3．一种制造权利要求1的半透明氧化铝烧结体的方法，其中该烧结体是通过下列步骤制得的：

使混合粉末成形，该混合粉末通过将烧结剂添加到α氧化铝粉末中制备，该α氧化铝粉末含基本上无破裂表面的多面体初级颗粒，其BET比表面积为1～10m²/g，纯度为99.99％或更高，然后

在从大气压到真空的还原气氛中，于1700～1900℃温度烧结该生坯。

4．根据权利要求3的半透明氧化铝烧结体的制造方法，其中烧结剂为镁化合物，以氧化铝总量为基础计，其用氧化物表示的添加量为10ppm或更多至100ppm或更少。

5．一种制造权利要求1半透明氧化铝烧结体的方法，其中该烧结体是通过下列步骤制得的：

使混合粉末成形，该混合粉末是将以氧化铝总量为基础计的以氧化物计的10ppm或更多到100ppm或更少的镁化合物，或以氧化铝总量为基础计的以氧化物计的10ppm或更多到100ppm或更少的镁化合物和以该镁化合物总量为基础计的以氧化物计的1～100重量％选自周期表中ⅢA族元素和ⅣA族元素化合物的一种或多种化合物加到α氧化铝粉末中而制得的，该α氧化铝粉末含基本上无破裂表面的多面体初级颗粒，其BET比表面积为1～10m²/g，纯度为99.99％或更高，然后

在从大气压到真空的还原气氛中，于1700～1900℃温度烧结该生坯。

6．根据权利要求3的半透明氧化铝烧结体的制造方法，其步骤包括(1)将权利要求3的混合粉末与有机粘合剂、增塑剂、分散剂、润滑剂和水或有机溶剂混合以制备浆料，(2)使所述浆料成形，以及(3)将所述生坯在500～1500℃的大气中预烧制，然后，在从大气压到真空的还原气氛中于1700～1900℃温度下烧结该预烧制生坯。

7．根据权利要求6的半透明氧化铝烧结体的制造方法，其中浆料是仅通过机械搅拌将氧化铝粉末分散而获得的浆料，或是通过机械搅拌和超声波分散将氧化铝粉末分散而获得的浆料。

8．用权利要求3方法获得的半透明氧化铝烧结体，其中该烧结体具有50ppm或更少的碱金属元素和碱土金属元素总含量，并且对600nm波长的光在0.85mm厚的烧结体上具有40％或更高的线性透光度。

9．根据权利要求8的半透明氧化铝烧结体，其中该氧化铝烧结体的平均晶粒大小为5μm或更大到50μm或更小，并且最大晶粒大小是该平均晶粒大小的1.5倍或更大。

10．一种灯具构件，其中使用了权利要求1的半透明氧化铝烧结体。

11．一种半导体制造装置构件，其中使用了权利要求1的半透明氧化铝烧结体。

12．一种生物陶瓷构件，其中使用了权利要求1的半透明氧化铝烧结体。