[发明专利]氮化铟镓发光二极管有效
| 申请号： | 00131996.5 | 申请日： | 2000-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1353465A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘家呈;许进恭;周铭俊;章绢明;李秉杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括：
一绝缘基层；
一p型接触层，形成在该绝缘基层上，其表面分为第一区域及第二区域；
一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；
一发光层，形成在该p型束缚层上；
一n型束缚层，形成在该发光层上；
一n型接触层，形成在该n型束缚层上；
一n型电极，形成在该n型接触层上；以及
一p型电极，形成在该p型接触层的第二区域上。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该绝缘基层包括选自于蓝宝石、LiGaO2、LiAlO2、及MgAl2O4所构成材料群组中的一种材料；该p型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该p型束缚层包括AlxGaxN，其中，0≤x≤1；该发光层包括InyGa1-yN，其中，0≤y≤1；该n型束缚层包括AlzGa1-zN，其中0≤z≤1；该n型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该n型电极由钛-铝制成；该p型电极由镍-金制成。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该绝缘基层包括选自于蓝宝石、LiGaO2、LiAlO2、及MgAl2O4所构成材料群组中的一种材料；该p型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该p型束缚层包括AlxGa1-xN，其中，0≤x≤1；该发光层包括r个氮化铟镓量子井与r+1个氮化铟镓阻挡层，使得每一个氮化铟镓量子井上下二侧皆有一氮化铟镓阻挡层，其中，r≥1，每一氮化铟镓量子井是由IneGa1-eN构成，每一氮化铟镓阻挡层是由InfGa1-fN构成，且0≤f＜e≤1；该n型束缚层包括AlzGa1-zN，其中，0≤z≤1；该n型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该n型电极由钛-铝制成；该p型电极由镍-金制成。
4.一种发光二极管，包括：
一绝缘基层；
一长晶层，形成在该绝缘基层上；
一p型接触层，形成在该长晶层上，其表面分为第一区域及第二区域；
一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；
一发光层，形成在该p型束缚层上；
一n型束缚层，形成在该发光层上；
一n型接触层，形成在该n型束缚层上；
一n型电极，形成在该n型接触层上；以及
一p型电极，形成在该p型接触层的该第二区域上。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其中该绝缘基层包括选自于蓝宝石、LiGaO2、LiAlO2、及MgAl2O4所构成材料群组中的一种材料；该长晶层包括选自于GaN、AlmGa1-mN，其中，0≤m≤1、及InnGa1-nN，其中，0≤n≤1，所构成材料群组中的一种材料；该p型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该p型束缚层包括AlxGa1-xN，其中，0≤x≤1；该发光层包括InyGa1-yN，其中，0≤y≤1；该n型束缚层包括AlzGa1-zN，其中0≤z≤1；该n型接触层包括选自于GaN与AlGaN所构成材料群组中的一种材料；该n型电极由钛-铝制成；该p型电极由镍-金制成。
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