[发明专利]氮化铟镓发光二极管

说明书

本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种氮化铟镓发光二极管。

日本Nichia Chemical Industries Ltd.曾在一论文中揭露一种氮化铟镓发光二极管构造，如图1显示，其中包括蓝宝石基层10、氮化镓长晶层(nucleation layer)11、n型氮化镓缓冲层12、n型氮化铝镓束缚层13、纯量子井氮化铟镓发光层14、p型氮化铝镓束缚层15、p型氮化镓接触层16、镍-金导电层17、p型镍-金前电极18，又由于蓝宝石不导电，故须将发光二极管适当地蚀刻至氮化镓缓冲层12，然后在缓冲层12上形成n型钛-铝后电极19。

在现有的发光二极管中，由于p型氮化镓接触层16的导电性不佳，故有必要于其上设置镍-金导电层17，以达到使源自前电极18的电流散布开的效果，但镍-金导电层17的透光率小于百分之五十，使二极管所发出光线中的大部分都被导电层17吸收，因而造成二极管发光效率欠佳的不良结果。

再者，该现有发光二极管有结构复杂的缺点，若能够减少其中的层数，简化制作工艺，则可降低生产成本。

此外，该现有发光二极管中，p型镍-金前电极18与n型钛-铝后电极19由于所使用的材料不同，必须分别在不同的制作工艺中形成在二极管上，造成制作工艺复杂的缺点，若p型前电极与n型后电极能够使用相同的材料，并在同一制作工艺中形成在二极管上，即可简化制作工艺，降低生产成本。

此外，该现有发光二极管中，自前电极18送出的电流，在导电层17中分布开后，向下流至导电层17中，与来自后电极19的电流遭遇，而产生发光作用。然而，在前电极18正下方所发出的光线受前电极18阻挡，造成发光效率不佳的缺点。

本发明的目的在于提供一种氮化铟镓发光二极管，使其中所发出光线的极少部分被导电层吸收，因而能够增进二极管的发光效率。

本发明的另一目的在于提供一种氮化铟镓发光二极管，其结构较简单，因而能够简化二极管制作工艺，从而降低生产成本。

本发明的另一目的在于提供一种氮化铟镓发光二极管，其中p型电极与n型电极使用相同的材料，可在同一制作工艺中形成在二极管上，故能够简化制作工艺，从而降低生产成本。

本发明的又一目的在于提供一种氮化铟镓发光二极管，其中电流的分布受控制，能够减少前电极正下方的电流，进而减小发光层中所发出光线受前电极阻挡的不良效果，并能够增进二极管的发光效率。

本发明的目的是这样实现的，即提供一种发光二极管，包括：一绝缘基层；一p型接触层，形成在该绝缘基层上，其表面分为第一区域及第二区域；一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；一发光层，形成在该p型束缚层上；一n型束缚层，形成在该发光层上；一n型接触层，形成在该n型束缚层上；一n型电极，形成在该n型接触层上；以及一p型电极，形成在该p型接触层的第二区域上。

本发明还提供一种发光二极管，包括：一绝缘基层；一长晶层，形成在该绝缘基层上；一p型接触层，形成在该长晶层上，其表面分为第一区域及第二区域；一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；一发光层，形成在该p型束缚层上；一n型束缚层，形成在该发光层上；一n型接触层，形成在该n型束缚层上；一n型电极，形成在该n型接触层上；以及一p型电极，形成在该p型接触层的该第二区域上。

本发明还提供一种发光二极管，包括：一绝缘基层；一长晶层，形成在该绝缘基层上；一n型缓冲层，形成在该长晶层上；一p型接触层，形成在该缓冲层上，其表面分为第一区域及第二区域；一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；一发光层，形成在该p型束缚层上；一n型束缚层，形成在该发光层上；一n型接触层，形成在该n型束缚层上；一n型电极，形成在该n型接触层上；以及一p型电极，形成在该p型接触层的第二区域上。

本发明还提供一种发光二极管，包括：一绝缘基层；一p型接触层，形成在该绝缘基层上，其表面分为第一区域及第二区域；一p型束缚层，形成在该p型接触层的第一区域上；一发光层，形成在该p型束缚层上；一n型束缚层，形成在该发光层上；一n型接触层，形成在该n型束缚层上；一透明导电层，形成在该n型接触层上；一n型电极，形成在该透明导电层上；以及一p型电极，形成在该p型接触层的第二区域上。