[发明专利]绘制图形校验方法无效
申请号: | 00133555.3 | 申请日: | 2000-11-10 |
公开(公告)号: | CN1296284A | 公开(公告)日: | 2001-05-23 |
发明(设计)人: | 小日向秀夫 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/16 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,方挺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绘制 图形 校验 方法 | ||
1.一种绘制图形校验方法,用于校验形成在要在电子束曝光或离子束曝光中使用的模版掩模上的绘制图形,包括如下步骤:
从器件的设计数据中提取所述绘制图形;
把一个区域分为许多部分,其中在该区域中除掩模孔之外都设置了所述提取的绘制图形;
对每个所述分割的部分设置许多种变量中的一种变量,这些变量是基于所述部分出现缺陷的可能性确定的;
基于其出现缺陷的可能性再检查一个部分的特定变量。
2.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中所述检查步骤包括如下步骤:
进一步把带有所述特定变量的部分分割为多个部分;及
对每个所述部分设置变量,该变量是基于其出现缺陷的可能性确定的;所述进一步分割的步骤和所述设置步骤被重复一次或多次。
3.根据权利要求1或2的绘制图形校验方法,其中最终设置的特定变量的部分是由掩模孔整个包围的第一缺陷部分和/或由掩模孔部分包围的第二缺陷部分。
4.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中:所述变量设置步骤根据规则特别设置变量a={a0},{a1},{a2},其中a0≠a1≠a2,该规则包括:
第一规则,用于把由与最靠近设置在所述绘制图形中的区域的掩模孔接触的并且与所述区域的侧边平行的直线包围的内部部分设置为第三部分,还把所述第三部分的外部设置为变量{a0},把掩模孔设置为变量{a2},把其余的设置为变量{a1};
第二规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a2}、{a2}→{a1}→{a0}和{a0}→{a1}→{a0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与所述第二扫描相同的方式进行设置;及
所述特定的变量是{a1}。
5.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中所述变量设置步骤根据规则特别设置变量a={a0},{a1},{a2},所述规则包括:
第五规则,用于把设置了所述绘制图形的区域的侧边设置为变量{a0},把掩模孔设置为变量{a2},其余设置为变量{a1};
第二规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a2}、{a2}→{a1}→{a0}和{a0}→{a1}→{a0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与所述第二扫描相同方式进行设置;及
所述特定的变量是{a1}。
6.根据权利要求4的绘制图形校验方法,其中所述规则还包括:
第四规则,用于在应用了所述第三规则后,执行在X轴和Y轴方向的最终的扫描,以检测所述变量{a1}的一部分作为第一缺陷部分,该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a2}→{a1}→{a2},并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果,并且以检测所述变量{a1}的这样一个部分作为第二缺陷部分,该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的所述变量排列{a2}→{a1}→{a2},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向之一扫描的结果,把{a0}→{a1}→{a2}或{a2}→{a1}→{a0}的变量排列作为其它方向扫描的结果,从而检测所述变量{a1}的所述部分作为所述第一缺陷部分或所述第二缺陷部分。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造