[发明专利]晶片整合刚性支持环

权利要求书

1一种晶片，包括：

一个芯片阵列，具有触点，所述触点包括焊料堆，所述芯片阵列包括沿晶片外围伸出的周边芯片；和

附加虚设焊料堆，位于多数所述周边芯片附近，其中所述附加虚设焊料堆用于改善所述周边芯片的触点工艺。

2如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆对障板提供支持，障板用于在所述焊料堆上沉积材料，使所述障板不会损坏周边芯片的焊料堆。

3如权利要求2所述的晶片，其特征在于，所述焊料堆包括一层所述材料。

4如权利要求3所述的晶片，其特征在于，所述材料包括锡。

5如权利要求3所述的晶片，其特征在于，所述材料沉积在回流堆上。

6如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆在锯刃线处被去除。

7如权利要求6所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆在沿所述晶片外围的环形去除区处被去除。

8如权利要求7所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆在对齐辅助工具区域被去除。

9如权利要求8所述的晶片，其特征在于，所述对齐辅助工具包括一个焊料堆图型。

10如权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述焊料堆图型包括一个图型，具有比用于触点的更紧凑的焊料堆空间。

11如权利要求7所述的晶片，其特征在于，周边芯片附近的所述附加虚设焊料堆，在所述锯刃线外所述阵列的所有位置，以堆的规则阵列排行，并填满所述去除区。

12如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆包括一个在所述周边芯片附近的单行堆。

13如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述附加虚设焊料堆包括相应于部分芯片的堆的附加图型。

14如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述改善所述周边芯片的触点工艺是，在晶片上触点绝缘体更均匀的等离子体蚀刻，和周边芯片更低的电阻。

15如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述周边芯片的触点具有与非周边芯片大约相等的触点电阻。

16如权利要求1所述的晶片，其特征在于，所述周边芯片的触点具有与非周边芯片大约相等的绝缘体。

17一种障板，包括：

一个在障板上的孔阵列，相应于晶片上芯片阵列的触点，所述芯片阵列包括沿晶片外围伸出的周边芯片；和

附加在障板上的虚设孔，在相应于多数所述周边芯片孔的附近，其中所述附加虚设孔用于改善所述周边芯片的触点工艺。

18如权利要求17所述的障板，其特征在于，所述附加虚设孔用于提供附加虚设焊料堆，以支持第二障板，它用于将附加材料层沉积到所述堆上，使所述第二障板不损坏周边芯片焊料堆。

19如权利要求18所述的障板，其特征在于，所述用于沉积附加材料层的孔位于用于补偿沉积锡时的温度的位置。

20如权利要求18所述的障板，其特征在于，所述附加材料层用于通过所述第二障板，将锡沉积到芯片的回流焊料堆上。

21如权利要求17所述的障板，其特征在于，所述附加虚设孔在锯刃线处去除。

22如权利要求21所述的障板，其特征在于，所述附加虚设孔在沿所述障板外围，超出所述周边芯片和超出所述虚设孔的环形去除区去除。

23如权利要求17所述的障板，其特征在于，所述周边芯片的所述改善触点工艺是将与所述周边芯片触点接触的绝缘体去除，和所述周边芯片的更低的触点电阻。

24如权利要求17所述的障板，其特征在于，所述附加虚设孔位于实质上所有所述周边芯片孔的附近。

25如权利要求17所述的障板，其特征在于，所述孔相应于所述周边芯片，位于补偿沉积铬、铜、金时的温度的位置。