[发明专利]镓酸锂晶体的制备方法无效
| 申请号： | 00136184.8 | 申请日： | 2000-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1101484C | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 马贤锋;洪瑞金;阎学伟;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/22;C01G15/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 曹桂珍 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镓酸锂 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镓酸锂晶体的制备方法，其特征在于称取Ga2O3 2-6克，金属Ga3-9克，Li2CO3、LiOH或Li2O1-4克放入温控炉中，密封或通入还原性气体，温度控制在600-1100℃之间，恒温2-48小时后冷却至室温即得到无色、透明的镓酸锂晶体。
2.如权利要求1所述的镓酸锂晶体的制备方法，其特征在于通入还原性气体为NH3。
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