[发明专利]单块陶瓷电子元件及其制造方法,和陶瓷糊浆及其制造方法

权利要求书

1．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：

提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；

形成多个复合结构；各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域而形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙而形成的；

将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；

烧制该叠合物坯料，其中陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂，所述有机粘合剂是聚乙烯醇缩丁醛和纤维素酯的混合物。

2．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：

提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；

形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域而形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙而形成的；

将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；

烧制该叠合物坯料，其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂，所述有机粘合剂是聚丙烯酸酯和纤维素酯的混合物。

3．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：

提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；

形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域而形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙而形成的；

将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；

烧制该叠合物坯料，其中陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂，所述有机粘合剂是聚乙烯醇缩丁醛和聚乙酸乙烯酯的混合物。

4．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：

提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；

形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙而形成的；

将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；

烧制该叠合物坯料，其中陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂，所述有机粘合剂是聚乙烯醇缩丁醛和聚丙烯酸酯的混合物。

5．一种制造单块陶瓷电子元件的方法，该方法包括下列步骤：

提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；

形成多个复合结构，各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域而形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙而形成的；

将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；

烧制该叠合物坯料，其中陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂，所述有机粘合剂是主要包括丙烯酸烷酯和/或甲基丙烯酸烷酯的共聚物。

6．如权利要求5所述的制造单块陶瓷电子元件的方法，其特征在于所述有机粘合剂是主要包括丙烯酸烷酯和/或甲基丙烯酸烷酯的共聚物，所述共聚物包括含羧基、烯化氧基(RO)_n、羟基、缩水甘油基、氨基或酰氨基的活性单体作为共聚组分。