[实用新型]沉积类金刚石薄膜的镀膜机无效
申请号: | 00216701.8 | 申请日: | 2000-03-03 |
公开(公告)号: | CN2408126Y | 公开(公告)日: | 2000-11-29 |
发明(设计)人: | 楼祺洪;黄峰;李铁军;董景星;魏运荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/06 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 金刚石 薄膜 镀膜 | ||
本实用新型是一种沉积类金刚石薄膜的镀膜机。适用于在各种基底材料上制备大面积均匀的类金刚石薄膜,在工业加工和电子半导体工业中有广泛的应用,在激光沉积制备薄膜科学研究方面也有很大的意义。
已有技术:
类金刚石薄膜因具有极高的硬度、耐磨性好、抗压强度高、耐温高、高热导等优异的物理化学特性而倍受人们的青睐。人们已用各种方法制备出类金刚石薄膜,已经初步应用在机械电子等领域。自从有利用原子态氢去除石墨的提出,以低压化学气相沉积(CVD)制备类金刚石薄膜成为可能,由此为基础发展了多种制备装置,如用热丝化学气相沉积(HFCVD-hot filament chemical vapor deposition)蒸发靶材,微波等离子体化学气相沉积(MWCVD-microwave plasma chemical vapordeposition)、以及采用电子辅助化学气相沉积(electron assistant CVD)镀膜机等。另外利用等离子体制备薄膜的镀膜机也成为一种具有很大应用前景,如激光消融沉积、直流等离子体喷射(DC arc plasma jet)在快速制备大面积的类金刚石薄膜方面已取得进展。
上述的化学气相沉积制备类金刚石薄膜需要的机器庞大,控制复杂,而已有的激光沉积制备类金刚石薄膜需要给基底材料加热,使其温度控制在300度到500度,这样才有利于类金刚石薄膜的形成,通常采用的加热装置为电阻丝加热,通过可控硅控制温度,由于制备薄膜在真空室中进行,这样就对机器的操作带来一定的困难。
本实用新型的目的为克服上述已有技术中的难题,提供一种沉积类金刚石薄膜镀膜机,解决沉积薄膜同时对基底材料进行加热的问题,比已有技术中的激光沉积制备类金刚石薄膜将具有结构简单,易于控制等特点。
本实用新型的沉积类金刚石薄膜的镀膜机包括:真空室4,真空室4壁上带有第一透光窗口401,观察窗口402,接真空系统的排气口403和第二透光窗口404。在真空室4内有置于旋转支架7上的靶材6和待沉积薄膜基底5。置于真空室4外有光轴对准真空室4壁上第一透光窗口401中心的光源1,由光源1发射的光束G经置于光源1与第一透光窗口401之间的分束镜2将光束G分成消融沉积光束G1和扫描光束G2两束光。由分束镜2透过的光束为消融沉积光束G1,经置于分束镜2与第一透光窗口401之间的第一聚焦透镜3透过真空室4壁上的第一透光窗口401会聚到置于真空室4内的靶材6上。由分束镜2反射的光束为扫描光束G2经反射镜11,第二聚焦透镜10和置于旋转镜架8上的旋转反射镜9透过真空室4壁上的第二透光窗口404会聚到置于真空室4内的待沉积薄膜基底5上。
所说的光源1是准分子激光器,或者是半导体激光器,或者是其它固体激光器,或者是其它气体激光器。
所说的置于真空室4内旋转支架6上的靶材6是由石墨构成的,或者是由超导材料构成的,或者由其它金属材料构成的。
所说的基底5是单晶硅片,或者是超导薄膜,或者是晶体石英片或者是玻璃片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00216701.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类