[实用新型]超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器

权利要求书

1．一种超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器，由若干分移相器所组成，其特征在于该移相器由一个180度位开关型数字移相电路(A)、一个90度位反射型数字、模拟兼容移相电路(B)、一个45度位反射型数字、模拟兼容移相电路(C)、一个22.5度和11.25度位反射型数字、模拟兼容移相电路(D)所组成，180度位开关数字移相电路(A)的输入端为信号输入端，180度位开关数字移相电路(A)的输出端接90度位反射型数字、模拟兼容移相电路(B)的输入端，90度位反射型数字、模拟兼容移相电路(B)的输出端接45度位反射型数字、模拟兼容移相电路(C)的输入端，45度位反射型数字、模拟兼容移相电路(C)的输出端接22.5度和11.25度位反射型数字、模拟兼容移相电路(D)的输入端，22.5度和11.25度位反射型数字、模拟兼容移相电路(D)的输出端为信号输出端。

2．根据权利要求1所述的超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器，其特征在于180度位开关型数字移相电路(A)中微带线X4的一端接地，另一端接微带线X3和微带线X2，控制端K1通过电阻R1与场效应管T1的栅极相接，控制端K1通过电阻R2与场效应管T2的栅极相连接，控制端K2通过电阻R3与场效应管T3的栅极相接，控制端K2通过电阻R4与场效应管T4的栅极相连接。

3．根据权利要求1或2所述的超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器，其特征在于90度位反射型数字、模拟兼容移相电路(B)中场效应管T6的源极与地之间接有一个电阻R10和一个电容C4，控制端K3接在电阻R7和电阻R9的连接点处，场效应管T5的源极与地之间接有一个电阻R6和一个电容C2。

4．根据权利要求1或2所述的超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器，其特征在于45度位反射型数字、模拟兼容移相电路(C)中场效应管T8的源极与地之间接有一个电阻R16和一个电容C8，场效应管T7的源极与地之间接有一个电阻R12和一个电容C6，控制端K4接在电阻R13和电阻R15的连接点处。

5．根据权利要求1或2所述的超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器，其特征在于22.5度和11.25度位反射型数字，模拟兼容移相电路(D)中场效应管T11的源极与地之间接有一个电阻R23和一个电容C12，场效应管T12的源极与地之间接有一个电阻R22和一个电容C11，场效应管T10的源极与地之间接有一个电阻R9和一个电容C10，场效应管T9的源极与地之间接有一个电阻R18和一个电容C9，控制端K5接在电阻R20和电阻R24的连接点处，控制端K6接电阻R17和电阻R21。