[发明专利]具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件无效
| 申请号： | 00800163.4 | 申请日： | 2000-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1306677A | 公开（公告）日： | 2001-08-01 |
| 发明（设计）人： | J·卢泽 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 栅极 绝缘体 半导体器件 | ||
1．一种半导体器件，其特征在于，它包括：
一个晶体管，其源漏区(140,150)为沟区(160)所分隔，栅极(110)覆盖住沟区、覆盖住部分源区且覆盖住部分漏区形成，绝缘区(130)构制和配置得使栅极与沟区绝缘，且与源漏区绝缘；且
绝缘区的第一种材料(120)覆盖住沟区配置，提供高介电常数，绝缘区的第二种材料(130)覆盖住部分源区且覆盖住部分漏区配置，提供低得多的介电常数。
2．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二种材料没有配置得使其层叠在沟区上。
3．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一种材料还配置得使其层叠在源漏区的相应部分。
4．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二种材料为掺氟氧化硅。
5．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二种材料包括二氧化硅。
6．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一种材料为氮化硅。
7．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一种材料包括氧化钽。
8．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二种材料构制和配置得使其形成电容值比所使用的第一种材料低的搭接电容。
9．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一种材料包括氮化物，第二种材料包括氧化物。
10．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一种绝缘材料包括介电常数在大约6和25之间的材料。
11．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极形成毗邻源区和漏区的各角。
12．一种半导体器件，其特征在于，它包括：
一个晶体管，其源区和漏区为沟区所分隔，栅极覆盖住沟区、覆盖住部分源区和覆盖住部分漏区形成，绝缘区构制和配置得使栅极与沟区绝缘，且与源漏区绝缘；且
绝缘区具有基本上覆盖住沟区配置以提供高介电常数的部分，和基本上覆盖住源区且基本上覆盖住漏区以提供低介电常数的部分。
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