[发明专利]树脂组合物、其成形品及其利用

说明书

发明所属技术领域

本发明涉及树脂组合物、从其制成的成形品及其利用，尤其涉及阻燃性、热导性和耐水性优异的树脂组合物、从其制成的成形品及其利用。更详细地说，本发明涉及适用于半导体封装材料、实质上不含卤素的树脂组合物。

先有技术

半导体元件或集成电路元件要用各种封装材料进行封装，以免受到外部振动、冲击、尘埃、水分、周围气氛等的影响。作为封装材料，可以使用金属材料、陶瓷、玻璃等，但从成本、生产率的观点来看，最近几乎都用塑料进行树脂封装。

先有技术上，作为封装材料，使用的是环氧树脂、硅酮树脂、苯酚树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂和聚酰亚胺树脂等，取得了良好的成绩。

然而，由于半导体领域的技术革新，推进了集成度的提高，元件尺寸的小型化、配线的微细化，封装件也有变得小型、薄型的倾向，伴随着这种情况，对封装材料来说，高可靠性就变得必要了。

进而，半导体装置等电子器件必须是高度阻燃性的，这可以采用添加溴化环氧树脂和三氧化锑的方法来实现。然而，在使用三氧化锑的情况下，燃烧时溴化氢、含溴气体、溴化锑等的产生对人体造成危害或对机器造成腐蚀，而且半导体元件封装过程产生的工业废弃物或使用后的半导体装置的处置问题等环境上的安全性是成问题的。

再者，添加了上述阻燃剂的半导体装置在高温下长时间放置时，在游离溴的影响下，半导体元件上的铝配线发生腐蚀而成为半导体装置故障的原因，使高温可靠性下降成为问题。为了解决上述问题，有人提出了添加金属氢氧化物微粒作为阻燃剂的方法。

然而，这种方法必须配合大量(40％重量以上)金属氢氧化物，因而，半导体装置暴露于高温(通常215～260℃)时吸水量多的金属氧化物微粒会由于所吸湿的水分急激气化而使半导体装置膨胀或发生裂纹，也会产生耐焊性下降这样的问题。

此外，在80～200℃、相对湿度70～100％的高温高湿环境下，有半导体元件功能下降这样的问题。

再公表公报平成7年第806085号公报中，提出了与热固性树脂和固化剂一起并用金属氢氧化物微粒和金属氧化物微粒的半导体封装用热固性树脂组合物方案，但由于近年来半导体领域的技术革新，更高阻燃性和更高耐湿性与安全性变得有必要了。进而，在金属氢氧化物微粒和金属氧化物微粒中杂质多的情况下，会成为使模具或半导体元件生锈的原因。

发明要解决的课题

因此，本发明的第1个目的是提供阻燃性、热导性和耐水性优异的树脂组合物及其成形品。

本发明的第2个目的是提供适合作为半导体封装材料、实质上不含卤素的阻燃性树脂组合物及其成形品。

本发明的第3个目的是提供能使发热性电子器件产生的热放热的、热导性优异的树脂组合物及其成形品。

解决问题的手段

按照本发明者等人的研究，发现上述本发明的目的可以通过选择有特定二次粒径和特定BET法比表面积、且Fe化合物和Mn化合物在一定量以下、进而Na含量和Cl含量极少的氧化镁微粒作为合成树脂中配合的氧化镁微粒来达到。

即，按照本发明，提供一种树脂组合物，其特征在于是对合成树脂100重量份配合氧化镁微粒50～1,500重量份的树脂组合物，其中，该氧化镁微粒满足以下(i)～(v)的要求：

(i)平均二次粒径为0.1～130μm，

(ii)BET法比表面积为0.1～5m²/g，

(iii)Fe化合物和Mn化合物的含量合计，以金属计，为0.01％(重量)以下，

(iv)Na含量为0.001％(重量)以下，和

(v)Cl含量为0.005％(重量)。

以下更详细地说明本发明。

本发明中使用的氧化镁微粒满足以下(i)～(v)的要求：

(i)平均二次粒径为0.1～130μm、较好0.5～50μm，

(ii)BET法比表面积为0.1～5m²/g、较好0.1～3m²/g，

(iii)Fe化合物和Mn化合物的含量合计，以金属计，为0.01％(重量)以下、较好0.05％(重量)以下，

(iv)Na含量为0.001％(重量)以下、；较好0.0005％(重量)以下，和

(v)Cl含量为0.005％(重量)以下、较好0.002％(重量)以下。