[发明专利]具有位线泄漏控制的双阈值电压SRAM单元有效
| 申请号： | 00807119.5 | 申请日： | 2000-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1357145A | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | A·克沙瓦兹;K·张;Y·叶;V·德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/418 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 泄漏 控制 阈值 电压 sram 单元 | ||
1.一个集成电路包括：
一条位线和一条位线#；
字线；
每个存储单元相应于字线之一以及每个包括：
(a)分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管，以及位线和位线#，分别地，相应的字线连接到第一和第二通路晶体管的栅极；以及
(b)交叉连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二反相器，其中第一和第二通路晶体管每个具有比第一和第二反相器的晶体管更低的阈值电压；以及
连接到字线的字线电压控制电路，以选择性地控制字线上的字线信号。
2.权利要求1的集成电路，其中字线电压控制电路认定用于相应于选择为读的一个存储器单元的一个所选择的字线的字线信号并欠驱动用于不相应于所选存储单元的字线的字线信号。
3.权利要求2的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-5和-99毫伏之间。
4.权利要求2的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-100和-200毫伏之间。
5.权利要求2的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-201和-500毫伏之间。
6.权利要求2的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是大于-500毫伏的。
7.权利要求1的集成电路，其中晶体管是MOS FET晶体管。
8.权利要求1的集成电路，还包括一第二列存储器单元。
9.权利要求1的集成电路，还包括连接到位线和位线#的一个读出放大器。
10.权利要求1的集成电路，还包括位线条件电路，以分别予充电位线和位线#上的数据和数据#信号。
11.一个集成电路包括：
一条位线和一条位线#；
相应于行的字线；
每个存储单元相应于字线之一以及每个包括：
(a)分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管，以及位线和位线#，分别地，相应的字线连接到第一和第二通路晶体管的栅极；以及
(b)交叉连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二反相器，其中第一和第二通路晶体管每个具有比第一和第二反相器的晶体管更低的阈值电压；以及
连接到字线的字线电压控制电路，以选择性地控制字线上的字线信号，使得该字线电压控制电路认定用于所选择行的字线的字线信号并欠驱动用于未选择的行的字线的字线信号。
12.权利要求11的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-5和-99毫伏之间。
13.权利要求11的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-100和-200毫伏之间。
14.权利要求11的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-201和-500毫伏之间。
15.权利要求11的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是负于-500毫伏。
16.权利要求11的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是负于-100毫伏。
17.权利要求11的集成电路，还包括一第二列存储单元。
18.一个集成电路包括：
一条位线和一条位线#；
相应于行的字线；
每个存储单元相应于字线之一以及每个包括：
(a)分别连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二通路晶体管，以及位线和位线#，分别地，相应的字线连接到第一和第二通路晶体管的栅极；以及
(b)交叉连接在第一和第二存储结点之间的第一和第二反相器；以及
连接到字线的字线电压控制电路，以选择性地控制字线上的字线信号，使得该字线电压控制电路认定用于所选择行的字线的字线信号并欠驱动用于未选择的行的字线的字线信号。
19.权利要求18的集成电路，其中用于未选择的字线的字线信号是包括在-100和-200毫伏之间。
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