[发明专利]磁阻头及其制造方法,以及磁记录重现装置无效
申请号: | 00807845.9 | 申请日: | 2000-11-27 |
公开(公告)号: | CN1351746A | 公开(公告)日: | 2002-05-29 |
发明(设计)人: | 本间义康;长谷川博幸 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/187;G11B5/39 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,梁永 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁阻 及其 制造 方法 以及 记录 重现 装置 | ||
1.一种MR头,它是形成了MR元件部的基板和增强构件在对磁记录介质滑动的面上露出的MR头,其特征在于:
上述基板和上述增强构件经非有机物膜相结合。
2.一种MR头,它是形成了MR元件部的基板和增强构件在对磁记录介质滑动的面上露出的MR头,其特征在于:
上述基板和上述增强构件经在上述滑动面没有露出的粘结膜相结合。
3.如权利要求2所述的MR头,其特征在于:
从滑动面起,沿基板与增强构件的界面,在5μm以内的范围内不形成粘结膜。
4.如权利要求2所述的MR头,其特征在于:
粘结膜是有机物膜。
5.如权利要求4所述的MR头,其特征在于:
有机物膜的厚度在10nm以上1000nm以下。
6.如权利要求2所述的MR头,其特征在于:
粘结膜是非有机物膜。
7.如权利要求1或6所述的MR头,其特征在于:
非有机物膜的厚度在20nm以上90nm以下。
8.如权利要求1或6所述的MR头,其特征在于:
非有机物膜含金属层。
9.如权利要求1或6所述的MR头,其特征在于:
非有机物膜是含贵金属层的多层膜。
10.如权利要求9所述的MR头,其特征在于:
贵金属层是Au层或Pt层。
11.如权利要求9所述的MR头,其特征在于:
含贵金属层的多层膜是在上述贵金属层的两侧分别配置了贱金属层的金属多层膜。
12.如权利要求11所述的MR头,其特征在于:
贵金属层的厚度在10nm以上50nm以下。
13.如权利要求11所述的MR头,其特征在于:
贱金属层是Cr层。
14.如权利要求11所述的MR头,其特征在于:
贱金属层的厚度分别在5nm以上20nm以下。
15.一种MR头的制造方法,该MR头是形成了MR元件部的基板和增强构件在对磁记录介质滑动的面上露出的MR头,其特征在于:
在基板的表面形成MR元件部,
使形成了上述MR元件部的基板的表面平坦化,
在平坦化了的基板表面和增强构件的表面分别形成含金属层的非有机物膜,
通过将上述金属层固相结合,将上述基板和上述增强构件进行结合。
16.如权利要求15所述的MR头的制造方法,其特征在于:
非有机物膜是依次形成贱金属层和贵金属层的金属多层膜,并对上述贵金属层进行固相结合。
17.如权利要求16所述的MR头的制造方法,其特征在于:
用Au层或Pt作贵金属层。
18.如权利要求16所述的MR头的制造方法,其特征在于:
设贵金属层的厚度分别在5nm以上25nm以下。
19.如权利要求16所述的MR头的制造方法,其特征在于:
用Cr层作贱金属层。
20.如权利要求16所述的MR头的制造方法,其特征在于:
设贱金属层的厚度分别在5nm以上20nm以下。
21.如权利要求15所述的MR头的制造方法,其特征在于:
在100℃以上200℃以下进行金属层的固相结合。
22.如权利要求21所述的MR头的制造方法,其特征在于:
在150℃以下进行金属层的固相结合。
23.如权利要求15所述的MR头的制造方法,其特征在于:
在低压气氛中形成金属层,在上述低压气氛中继续进行固相结合。
24.一种磁记录重现装置,其特征在于:
它安装有权利要求1或2所述的MR头。
25.一种磁记录重现装置,其特征在于:
它安装有按照权利要求15所述的制造方法制得的MR头。
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