[发明专利]一种半导体器件及其制造方法与一种半导体器件安装结构

权利要求书

1.一半导体器件包括：一个被多个悬空引线端支持的基座、多个排列包围该基座外围的引线端、一个安装在该基座一个主表面处且电连接到上述多个引线端主表面上的半导体芯片、用于封装上述多个引线端和半导体芯片及基座的封装树脂，特征为与上述多个引线端主表面相对的另外一个主表面被从封装树脂暴露且上述基座厚度比上述多个引线端小。

2.一半导体器件包括：一个被多个悬空引线端支持的基座、多个排列包围该基座外围的引线端、一个安装在该基座上且电连接到上述多个引线端的半导体芯片、用于封装该多个引线端和半导体芯片及基座的封装树脂，同时使多个引线端暴露于它的下表面侧。特征在于上述基座比上述引线端薄，因而允许该基座下表面侧被上述封装树脂覆盖。

3.一半导体器件包括：一个安装在一基座上的半导体芯片、用于封装该基座和该半导体芯片的封装树脂、电连接到该半导体芯片且部分地从该封装树脂暴露的不只一个引线端。特征在于该基座形成为比该引线端薄。

4.根据权利要求1的半导体器件，特征在于上述引线端是扁平的。

5.根据权利要求1的半导体器件，特征在于上述基座由半刻蚀技术形成为薄的。

6.根据权利要求1的半导体器件，特征在于上述基座由盘绕工艺形成为薄的。

7.一半导体器件包括：一安装在一基座上的半导体芯片、用于封装该基座和半导体芯片的封装树脂、一个从该封装树脂底部暴露的且电连接到该半导体芯片的引线端，特征在于该基座和该引线端的基座侧末端比该引线端另一末端薄。

8.根据权利要求1的半导体器件，特征在于上述引线端的基座侧末端比另一末端薄。

9.根据权利要求7的半导体器件，特征在于上述基座和上述引线端的基座侧末端由半刻蚀形成为薄的。

10.根据权利要求7的半导体器件，特征在于上述基座和上述引线端的基座侧末端由盘绕形成为薄的。

11.根据权利要求1的半导体器件，特征在于从上述封装树脂暴露的引线端经过使用铅-锡或锡-银或锡-锌或基于铅的材料进行金属化。

12.一种制造半导体器件的方法包括步骤为：

准备一个引线架阵列，含多个引线架，每个引线架都有多个引线端和一个比上述多个引线端厚度小的基座及一个用于支持该基座的悬空引线端；

进行单元片粘合，将一个半导体芯片安装于每个上述引线架的基座上或上面；

进行导线连接，用导线将上述半导体芯片和引线架的多个引线端之间连接起来；

用封装树脂封装上述引线架和半导体芯片及导线，且允许多个引线端在其下表面侧上暴露；

将上述引线架阵列从紧靠封装区的部分切割成多个单一引线端部分，从而获得多个半导体器件，封装区由封装树脂封装时的封装步骤得到。

13.根据权利要求12的半导体器件制造方法，其中上述引线端阵列的引线端经历外部包装工艺。

14.根据权利要求13的半导体器件制造方法，其中这里所述外部包装工艺是一种钯金属电镀工艺。

15.一种制造半导体器件的方法包括步骤为：

准备一个引线架阵列，含多个引线架，每个引线架都有多个引线端和一个比上述多个引线端厚度小的基座及一个用于支持该基座的悬空引线端；

进行单元片粘合，将一个半导体芯片安装于每个上述引线架的基座上或上面；

进行导线连接，用导线将上述半导体芯片和引线架的多个引线端之间连接起来；

用封装树脂封装上述引线架和半导体芯片及导线，且允许多个引线端暴露于它的下表面侧；

对多个暴露于封装区外的引线端使用外部包装，该封装区由封装树脂封装时形成；以及

将上述引线架阵列从紧靠封装区的部分切割成多个单一引线端部分，从而获得多个半导体器件，该封装区由封装树脂封装时的封装步骤得到。

16.根据权利要求12的半导体器件制造方法，其中上述封装树脂封装的步骤由一种转移成型方法完成。

17.根据权利要求12的半导体器件制造方法，其中上述切割引线架阵列的步骤由一种金属切割模具结构来完成。