[发明专利]制造沟槽电容器的掩埋带的方法

权利要求书

1.一种用于深沟槽电容器中掩埋带的填充材料的深蚀刻方法，包括如下步骤：

在衬底中形成沟槽；

用第一填充材料填充沟槽；

相对于沟槽中形成的介质套环，对第一填充材料开预定深度的凹槽；

在介质套环中蚀刻麻点；

在第一填充材料和形成沟槽暴露的衬底部分上淀积衬套；

在衬套上和麻点中淀积第二填充材料；

用湿蚀刻剂蚀刻表面，制备第二填充材料的表面，提供氢末端的硅表面；和

湿蚀刻第二填充材料，从而深蚀刻到对衬套和衬底有选择性的第二填充材料，蚀刻第二填充材料，形成掩埋带。

2.按照权利要求1的方法，其中制备表面的步骤包括通过用氟化氢湿蚀刻表面来制备表面的步骤。

3.按照权利要求2的方法，其中制备表面的步骤包括通过在约25℃的温度下湿蚀刻来制备表面的步骤。

4.按照权利要求1的方法，其中湿蚀刻步骤包括通过采用碱性化学品，湿蚀刻第二填充材料的步骤。

5.按照权利要求1的方法，其中碱性化学品包括氢氧化铵和氢氧化钾的一种。

6.按照权利要求1的方法，其中湿蚀刻步骤包括通过在约25℃-85℃的温度下湿蚀刻第二填充材料的步骤。

7.按照权利要求1的方法，其中湿蚀刻步骤包括在批量生产中湿蚀刻第二填充材料的步骤。

8.按照权利要求1的方法，其中第二填充材料包括多晶硅。

9.按照权利要求1的方法，其中衬套包括氮化物。

10.按照权利要求9的方法，其中氮化物包括约0.8nm的厚度。

11.按照权利要求1的方法，其中湿蚀刻步骤包括湿蚀刻对衬底有选择性的第二填充材料的步骤，选择率至少40∶1。

12.一种深蚀刻对用于半导体制备的晶体硅选择的多晶硅的方法，包括如下步骤：

提供在其中形成沟槽的晶体硅衬底；

在沟槽的上部形成氧化物套环；

在沟槽中淀积多晶硅材料，在氧化物套环的顶部之下对多晶硅材料开预定深度的凹槽；

对氧化物套环开凹槽，在每个沟槽中形成麻点；

在沟槽、麻点中和多晶硅材料上沿衬底的暴露表面淀积衬套；

淀积填充材料，以填充沟槽和麻点；

用湿蚀刻剂蚀刻表面，制备填充材料的表面，提供氢末端硅表面；和

采用碱性化学品湿蚀刻填充材料，从而深蚀刻对衬底和衬套选择的填充材料。

13.按照权利要求12的方法，其中制备表面的步骤包括通过用氟化氢湿蚀刻表面来制备表面的步骤。

14.按照权利要求13的方法，其中湿蚀刻步骤包括通过在约25℃温度下湿蚀刻表面来制备表面的步骤。

15.按照权利要求12的方法，其中湿蚀刻步骤包括采用氢氧化铵湿蚀刻填充材料约40秒-140秒的步骤。

16.按照权利要求12的方法，其中湿蚀刻步骤包括通过在约25℃-85℃的温度下湿蚀刻第二填充材料的步骤。

17.按照权利要求12的方法，其中湿蚀刻步骤包括在批量生产中湿蚀刻填充材料的步骤。

18.按照权利要求12的方法，其中填充材料包括多晶硅。

19.按照权利要求12的方法，其中衬套包括氮化物。

20.按照权利要求19的方法，其中氮化物包括约0.8nm的厚度。

21.按照权利要求12的方法，其中湿蚀刻步骤包括湿蚀刻对衬底有选择性的填充材料的步骤，选择率至少40∶1。