[发明专利]半导体存储元件的制造方法无效
| 申请号： | 00810882.X | 申请日： | 2000-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1365520A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | M·恩格哈德特;V·维恩里奇 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 制造 方法 | ||
1、一种制造用于半导体存储元件、特别是DRAM或FRAM元件的接触孔的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间绝缘层(1)、设置在所述中间绝缘层上并由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成的上层(3)，该方法包括以下步骤：
在上层(3)上形成穿孔掩模，在后来淀积工艺期间呈现温度稳定性的材料用于穿孔掩模；
利用穿孔掩模，向中间绝缘层(1)中刻蚀上层(3)和凹槽(8’)，直到残余厚度(d0)；
在后来的淀积工艺中，在由此获得的包括穿孔掩模的结构上淀积由O3/TEOS-SiO2制成的层；
通过刻蚀，从凹槽(8’)的底部去掉由O3/TEOS-SiO2制成的层；和
为了产生直到与硅衬底的界面的接触孔，通过刻蚀降低凹槽(8’)，露出后者，由O3/TEOS-SiO2制成的层在刻蚀期间用做上层(3)的侧向密封剂。
2、如权利要求1的方法，其特征在于聚酰亚胺用做穿孔掩模的材料。
3、如权利要求1的方法，其特征在于photoimide用做穿孔掩模的材料。
4、如权利要求1、2或3的方法，其特征在于在接触孔底部的区域中露出硅衬底之后，除了接触孔底部之外，再次在该结构上淀积由O3/TEOS-SiO2制成的层。
5、如权利要求4的方法，其特征在于在重新淀积O3/TEOS-SiO2之前，剥离穿孔掩模材料。
6、如前述任一权利要求的方法，其特征在于由铁电材料、特别是SBT或PZT制成、或由具有高介电常数的材料、特别是BST制成的层用做上层(3)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
