[发明专利]为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法

权利要求书

1.一种用于提供NAND类型快速擦写存储器装置的方法，该方法包括：

(a)在一基座的一选择晶体管区域，形成一选择门氧化层，以及，在该基座的一存储器单元区域，形成一隧道氧化层；

(b)在该选择门氧化层上以及该隧道氧化层上，形成具有掺杂质的非晶硅层，该具有掺杂质的非晶硅层的掺杂质浓度将同时避免选择晶体管字线的电阻问题、以及避免电荷获得/电荷失去的问题；

(c)在该具有掺杂质的非晶硅层上，形成一绝缘层；

(d)在该绝缘层上形成一控制门层；以及

(e)至少将蚀刻具掺杂质的非晶硅层、绝缘层、以及控制门层，以形成至少一个的存储器单元的堆栈结构、以及至少一个的选择晶体管的堆栈结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中该形成步骤(a)包括：

(a1)第一氧化层生成于选择晶体管区域以及存储器单元区域；

(a2)清除位于存储器单元区域的第一氧化层；以及

(a3)第二氧化层生成于选择晶体管区域的第一氧化层上、以及生成于存储器单元区域的基座上。

3.如权利要求2所述的方法，其中该去除步骤(a2)包括：

(a2i)在选择晶体管区域的第一氧化层上放置一掩模；

(a2ii)蚀刻位于存储器单元区域之第一氧化层；以及

(a2iii)清除掩模。

4.如权利要求1所述的方法，其中具有掺杂质的非晶硅层的掺杂质磷的掺杂质浓度介于大约5×10¹⁸与8×10¹⁹离子/(厘米)³(ions/cm³)之间。

5.如权利要求4所述的方法，其中该掺杂质的非晶硅层，用低压化学气相沉积技术，在约450-580℃与300-550mTorr，以大约1200-3000sccm的SiH₄、以及15-30sccm的含有重量比例为1％的PH₃的He和PH₃混合物的方式来形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成步骤(c)包括：

(c1)在具有掺杂质的非晶硅层上沉积第一介电氧化层；

(c2)在该第一介电氧化层上沉积氮化物层；以及

(c3)在该氮化物层上生成第二介电氧化层。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成步骤(d)包括：

(d1)在绝缘层上生成第二具有掺杂质的非晶硅层；以及

(d2)在该第二具有掺杂质的非晶硅层上生成硅化钨层。

8.一种NAND类型的快速擦写存储器装置，包括：

基座；位于该基座上的至少一个存储器单元堆栈结构，包含：

隧道氧化层；

浮动栅，该浮动栅位于该隧道氧化层上，含有具有掺杂质的非晶硅，此具有掺杂质的非晶硅的掺杂质浓度将同时避免选择晶体管字线电阻问题、以及电荷获得/电荷失去的问题；

第一绝缘层，该第一绝缘层位于浮动栅上，以及

第一控制门层，该第一控制门层位于该第一绝缘层上；以及

至少一个选择晶体管堆栈结构，该至少一个选择晶体管堆栈结构位于此基座上，包含：

选择门氧化层，该选择门氧化层位于该基座上；

选择门，该选择门位于该选择门氧化层上，含有具有掺杂质的非晶硅，

第二绝缘层，此第二绝缘层位于选择门上，以及

第二控制门层，此第二控制门层位于第二绝缘层上。

9.如权利要求8所述的装置，其中具有掺杂质的非晶硅层的掺杂质磷的掺杂质浓度介于约5×10¹⁸与8×10¹⁹离子/(厘米)³之间。

10.如权利要求9所述的装置，其中具有掺杂质的非晶硅，以低压化学气相沉积法技术，在约450-580℃与300-550mTorr，以大约1200-3000sccm的SiH₄、以及15-30sccm的含有重量比例1％的PH₃的He和PH₃混合物的方式形成。