[发明专利]制造具有至少一个金属化平面的集成电路的方法

权利要求书

1.制造具有至少一个金属化平面的集成电路的方法，

-其中将一个第一电介层、一个第二电介层、一个第三电介层和一个第四电介层安放到衬底的一个表面上，在此情况下第一电介层和第三电介层，以及第二电介层和第四电介层分别具有同一的刻蚀性能，并且在此情况下第二电介层的厚度和第四电介层的厚度互相不同，

-其中在采用规定接点孔布置的一个第一刻蚀掩模的条件下，如果第二电介层的厚度大于第四电介层的厚度的话，则穿过第四电介层和第三电介层如此深地刻蚀到第二电介层中，使得第二电介层剩下的厚度基本上等于第四电介层的厚度，并且如果第四电介层的厚度大于第二电介层的厚度的话，则如此深地刻蚀到第四电介层中，使得第四电介层剩下的厚度基本上等于第二电介层的厚度，

-其中在采用规定导线沟槽布置的一个第二刻蚀掩模的条件下，首先实施用其刻蚀到第四电介层和第二电介层中的一种非选择性的刻蚀工艺，而不暴露出位于其下的第三电介层和第一电介层的表面，并且然后对第三电介层选择性地和对第一电介层选择性刻蚀第四电介层和第二电介层，直到分别暴露出第一电介层和第三电介层的位于其下的表面时为止，

-其中刻蚀第三电介层和第一电介层，直到分别暴露出位于其下的表面时为止，

-其中在接点孔中和在导线沟槽中生成金属化平面的含有金属的接点和导线。

2.按权利要求1的方法，其中在采用第一刻蚀掩模的条件下借助于一种非选择性刻蚀工艺实施第四电介层、第三电介层和第二电介层的刻蚀。

3.按权利要求1或2的方法，其中第一电介层和第三电介层，以及第二电介层和第四电介层基本上具有同一的材料组成。

4.按权利要求3的方法，其中第一电介层和第三电介层含有Si₃N₄，并且第二电介层和第四电介层含有SiO₂。

5.按权利要求1至4之一的方法，其中第一电介层和第三电介层基本上是同等厚的。

6.按权利要求1至5之一的方法，其中通过金属的析出和平面化形成接点和印制导线。

7.按权利要求1至6之一的方法，其中接点和/或印制导线含有铜。