[发明专利]利用分开的介电浮栅的新型易收缩非易失性的半导体存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：

一种导电类型的半导体衬底；

形成在所述半导体衬底中的右扩散区，所述右扩散区具有与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型；

形成在所述半导体衬底中与所述右扩散区隔开的左扩散区，这样在所述右和左扩散区之间形成沟道区，所述左扩散区具有与所述右扩散区一样的导电类型；

形成在所述沟道区的中央沟道部分上的栅绝缘膜；

形成在所述栅绝缘膜上的控制栅电极；

基本上覆盖衬底和控制栅电极的介电复合体；

在所述控制栅电极和所述右扩散区之间的所述介电复合体的部分中的右电荷存储区；

在所述控制栅电极和所述左扩散区之间的所述介电复合体的部分中的左电荷存储区；

基本上覆盖介电复合体的字线。

2.权利要求1的非易失性半导体存储器件，其特征在于，所述介电复合体包括夹在两个二氧化硅层之间的氮化硅层。

3.权利要求1的非易失性半导体存储器件，其特征在于，所述介电复合体包括夹在两个二氧化硅层之间的氧化铝层。

4.一种非易失性存储单元的制造方法，包括：

在一种导电类型半导体衬底上形成栅氧化物绝缘层；

在栅氧化物绝缘层上形成控制栅；

施加与控制栅的右和左边缘相邻的右间隔调整层和左间隔调整层，以便覆盖部分所述栅氧化物绝缘层；

在半导体衬底中形成左和右扩散区；

除去间隔调整层；和

形成位于所述控制栅和半导体衬底上的介电复合体，此介电复合体包含：形成在所述衬底和所述控制栅上的底部二氧化硅层；形成在所述底部二氧化硅层上的氮化硅层和形成在氮化物层上的二氧化硅顶层。