[发明专利]电路基板、使用该基板的TFT阵列基板及液晶显示装置

权利要求书

1.一种电路基板，其特征在于，包括：在绝缘性基板上的同一平面内由同一导电性金属膜分别形成的X布线；以及与所述X布线交叉的交叉部分被所述X布线切断的与X布线隔离的Y断续布线；

所述X布线的侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；

被所述绝缘性膜覆盖的X布线切断、隔离的Y断续布线之间通过所述绝缘性膜上形成的Y断续布线连接电极来电连接。

2.如权利要求1的电路基板，其特征在于，所述X布线的侧面的绝缘性膜至少是将所述导电性金属膜进行氧化所得的金属氧化膜。

3.如权利要求2所述的电路基板，其特征在于，所述金属氧化膜是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。

4.一种电路基板的制造方法，其特征在于，包括：

第一步骤，在绝缘性基板上堆积导电性金属膜层；

第二步骤，对所述导电性金属膜层进行腐蚀，将X布线、以及与所述X布线交叉的交叉部分被所述X布线切断的且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；

第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面和上表面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面和上表面；以及

第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线切断隔离的Y断续布线之间进行电连接。

5.如权利要求4的电路基板的制造方法，其特征在于，按阳极氧化法来进行所述第2步骤中的X布线的氧化。

6.一种电路基板的制造方法，包括：

第一步骤，在绝缘性基板上至少依次堆积导电性金属膜层和绝缘性膜层；

第二步骤，对包含所述绝缘性膜层和所述导电性金属膜层的层进行腐蚀，在同一平面内，将X布线、以及交叉于所述X布线的交叉部分被所述X布线切断且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；

第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面；以及

第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线切断隔离的Y断续布线彼此间进行电连接。

7.如权利要求6的电路基板的制造方法，其特征在于，按阳极氧化法进行所述第二步骤中的X布线的侧面的氧化。

8.一种底栅型TFT阵列基板，包括：

栅电极，直接或通过内涂膜层形成在基板上，并且侧面由绝缘性膜覆盖；

栅极绝缘膜，层积在所述栅电极上；

半导体膜，层积在所述栅极绝缘膜上，具有源极区域、漏极区域和两区域夹置的沟道区域；

源极接触电极，层积在所述半导体膜的源极区域上；

漏极接触电极，层积在所述半导体膜的漏极区域上；

象素电极，通过所述漏极接触电极被连接到所述半导体膜的漏极区域；

栅极布线，连接到所述栅电极，侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；

源极断续布线，与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部呈被所述栅极布线切断隔离的形状；以及

源极连接电极，经由栅极布线的上方将被栅极布线切断隔离的源极断续布线彼此间进行电连接。

9.一种底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述象素电极和所述源极线连接电极由同质的透明导电膜材料构成。

10.如权利要求9的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述源极断续布线位于源极断续布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的源极断续布线区划图形的最下层；

所述栅极布线位于栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的栅极布线区划图形的最下层；

并且所述源极断续布线和所述栅极布线存在于所述基板上的同一平面内。

11.如权利要求10的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，至少所述栅极布线的侧面的绝缘性膜由所述导电性金属膜的氧化膜构成。

12.如权利要求11的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述氧化膜是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。

13.如权利要求11的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，半导体膜是i型非晶硅层和n型非晶硅层的双层构造。