[发明专利]电路基板、使用该基板的TFT阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及可应用于其他用途的电路基板的新构造、应用该构造的TFT阵列基板、使用该TFT阵列基板的液晶显示装置以及它们的制造方法。

背景技术

以往，在彩色液晶显示装置使用的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)阵列基板的制造中，使用5～9枚的光掩模，而由于光掩模的使用枚数多和相应的制造步骤多，制造变得繁杂，所以难以降低制造成本。

另一方面，在二极管阵列基板的制造过程中，提出了将光掩模的使用枚数能够降低至2枚的技术(特表昭62-502361号公报(日本))。但是，由于二极管阵列基板在性能上比TFT阵列基板差，所以不适于彩色电视机。

发明内容

因此，本发明的目的在于，在TFT阵列基板的制造方法中，提供能够减少光掩模的使用片数的新构造。

(1)为了实现该目的的第一发明涉及可以用于半导体集成电路等的电路板构造。第一发明如下构成。

一种电路基板，包括：在绝缘性基板上的同一平面内由同一导电性金属膜分别形成的X布线；以及与所述X布线交叉的交叉部分被所述X布线切断的与X布线隔离的Y断续布线；所述X布线的侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；被所述绝缘性膜覆盖的X布线切断、隔离的Y断续布线之间通过所述绝缘性膜上形成的Y断续布线连接电极来电连接。

如果是该结构，可以单独地将可通电的X线、Y线交叉型的电路组装在非常薄的平面内，因此，可以将该电路进行多层地集成。因此，该结构使半导体器件的一致性非常良好，通过采用该结构，可以显著地提高半导体电路等的集成度。

在该结构中，至少所述X布线的侧面的绝缘性膜是将所述导电性金属膜进行氧化所得的金属氧化膜，而且，所述金属氧化膜可以是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。如果是阳极氧化膜，那么即使是薄的薄膜，也可以获得良好的绝缘性。

上述结构的电路板可以根据以下的制造方法高生产率地制造。即，该方法包括：第一步骤，在绝缘性基板上堆积导电性金属膜层；第二步骤，对所述导电性金属膜层进行腐蚀，将X布线、以及由所述X布线切断与所述X布线交叉的交叉部分且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面和上表面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面和上表面；以及第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，以便至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线切断隔离的Y断续布线之间进行电连接。

在该制造方法中，可以按阳极氧化法来进行所述第2步骤中的X布线的氧化。如果是阳极氧化法，可以有选择并且高效率地仅氧化X布线。

上述结构的电路板可以通过以下的制造方法以高生产率来制造。即，该制造方法包括：第一步骤，在绝缘性基板上至少依次堆积导电性金属膜层和绝缘性膜层；第二步骤，对包含所述绝缘性膜层和所述导电性金属膜层的层进行腐蚀，在同一平面内，将X布线、以及交叉于所述X布线的交叉部分被所述X布线切断且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面；以及第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，以便至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线切断隔离的Y断续布线之间进行电连接。

在该制造方法中，可以按阳极氧化法来进行所述第二步骤中的X布线的侧面的氧化。

(2)第2发明涉及使用上述电路的底栅型TFT阵列基板，如下来构成。

该底栅型TFT阵列基板包括：栅电极，直接或通过内涂膜层形成在基板上，并且侧面用绝缘性膜来覆盖；栅极绝缘膜，层积在所述栅电极上；半导体膜，层积在所述栅极绝缘膜上，具有源极区域、漏极区域和夹置于两区域的沟道区域；源极接触电极，层积在所述半导体膜的源极区域上；漏极接触电极，层积在所述半导体膜的漏极区域上；象素电极，通过所述漏极接触电极被连接到所述半导体膜的漏极区域；栅极布线，连接到所述栅电极，侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；源极断续布线，与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部呈被所述栅极布线切断隔离的形状；以及源极连接电极，经由栅极布线的上方将被栅极布线切断隔离的源极断续布线之间进行电连接。

如果是该结构，可以提供可靠性优良的底栅型TFT阵列基板。

而且，所述象素电极和所述源极线连接电极可以由同质的透明导电膜材料构成。