[发明专利]制造具有减反射膜的半导体存储装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有核心存储单元区域与外围电路区域，所述方法包括下列步骤：

(a)在所述存储单元区域中形成第一栅极叠层，该第一栅极叠层依序包括：

隧道电介质层；

电荷储存电极层；

电介质层；

控制栅极层；

减反射膜(ARC)；

(b)在所述外围电路区域中形成第二栅极叠层，该第二栅极叠层依序包括：

电介质层；

栅极层；

ARC；

(c)在所述核心存储单元与外围电路区域上沉积第一层光阻材料；

(d)在所述第一栅极叠层上形成第一光刻掩模；

(e)在以第一层光阻材料掩盖第二栅极叠层的情况下，蚀刻所述第一栅极叠层，以产生至少一叠层栅极结构，其依序包括：

隧道电介质层；

电荷储存电极层；

栅极间电介质层；

控制栅极层；

ARC；

(f)从所述核心存储单元区域去除所述第一光刻掩模并从所述外围电路区域去除所述第一层光阻材料；

(g)在所述核心存储单元区域与外围电路区域上形成第二层光阻材料；

(h)在所述第二栅极叠层上形成第二光刻掩模；

(i)蚀刻所述第二栅极叠层以形成第二栅极结构，依序包括：

栅极电介质；

栅极；

ARC。

2.如权利要求1所述的方法，包括在利用所述第二层光阻材料掩盖所述核心存储单元区域的同时执行步骤(i)。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

(j)从所述外围电路区域去除所述第二光刻掩模并且从所述核心存储单元区域去除所述第二层光阻材料；

(k)注入杂质以在所述核心存储单元区域中形成源极/漏极区域。

4.如权利要求3所述的方法，包括通过下列步骤来执行步骤(k)，

(k₁)在所述核心存储单元区域与外围电路区域上沉积第三层光阻材料；

(k₂)在所述核心存储单元区域上形成第三光刻掩模；

(k₃)利用所述第三光刻掩模注入杂质，从而对应每一叠层栅极结构形成浅源极/漏极延长掺杂部；

(k₄)去除所述核心存储单元区域上的第三掩模；

(k₅)在所述核心存储单元区域上形成第四掩模；

(k₆)利用所述第四光刻掩模注入杂质，从而对应每一叠层栅极结构形成中度或重度掺杂源极/漏极延长掺杂部；

(k₇)去除所述第四掩模；

(k₈)激活热处理。

5.如权利要求4所述的方法，其中步骤(k₁)包括：

注入具有相同导电率类型的第一与第二杂质，其中该第二杂质的扩散系数比所述第一杂质大。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一杂质包括砷，而所述第二杂质包括磷。

7.如权利要求4所述的方法，其中：

步骤(k₄)包括从所述外围电路区域去除所述第三层光阻材料；而

步骤(k₇)包括从所述外围电路区域去除所述第四层光阻材料。

8.如权利要求1所述的方法，其中：

栅极、电荷储存电极与控制栅极由掺杂多晶硅构成；

栅极电介质层由二氧化硅构成；

栅极间电介质层包括氧化硅、氮化硅与二氧化硅依序叠加而成的叠层。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述ARC由硅氮氧化物构成。

10.如权利要求1所述的方法，其中：

所述电荷储存电极由氮化硅构成；而

所述栅极电介质层与栅极间电介质层由二氧化硅构成。