[发明专利]用于通过低压等离子体处理容器的装置的真空通路

说明书

本发明涉及一种通过低压等离子体处理容器的装置，其中，该等离子体由电磁波激发一种气体而产生。

这类的装置比如在同一申请人的专利申请WO99/49991中有所描述，可参考有关可根据本发明的装置实施其方法的所有说明。在上述引用文献中描述的装置中，见到的是，每一个容器安装到一个处理工位中，该处理工位包括一个密封腔和一个外腔室的。该处理工位配有一个活动的顶盖，该顶盖可将密封腔打开，以便引入一个要处理的容器。当盖体处于关闭位置，其将空腔密封地封闭，以便在空腔中能获得产生所谓的冷等离子体所需要的低压。有利地，该装置的盖体包括支撑容器的装置，以便通过在盖体打开位置和关闭位置之间移动盖体来保证容器的引入或移出。

在WO99/49991中所述的装置是一种通过低压等离子体对容器进行处理的装置，目的是在容器壁上实现一种材料涂层。为此，需要在处理腔中充入一种将被电离成等离子体的气体原。有利地，所述文献因而提到，喷射该气体原的装置包括一个装在空腔盖上的喷射器。

另一方面，为了得到产生等离子体所需要的低压，空腔需要通过一个通路，即所谓真空通路连接泵吸装置。上述引用文献中提到，真空通路的端部布置在盖体上，用于直接通向空腔。

然而，该文献未具体描述将盖体连向真空通路的装置。

本发明的目的在于，提出一种真空通路的具体设计，该通路使配有该装置的机器能完全可靠地工作。

为了这个目的，本发明提出一种上述类型的处理装置，其特征在于，该盖体包括一个连接通道，当该盖体处于密封空腔的封闭位置时，该连接通道使空腔与真空通路的一个固定端连通。

根据本发明的其它特征：

——所述的连接通道包括：一个连接端，其与所述真空通路的所述固定端配合；和两个端口，其在所述盖体处于封闭位置时，通出一个界定所述空腔的所述盖体的下表面；而支撑装置用于将要处理的容器的开口密封地紧贴着所述盖体的所述下表面，所述开口完全包围着一个第一所述端口，使得容器在所述空腔中界定出两部分：由第一所述端口连接所述真空通路的第一部分，和由第二个所述端口连接所述真空通路的第二部分；

——两个端口中的一个包括一个控制阀，所述控制阀用于当盖体处于封闭位置时，将所述空腔密封地分为两部分；

——所述阀为一个控制阀门；

——所述连接通道的第一端口可穿过一个喷射器，用于向容器内部充入反应气体；和

——所述连接通道包括一个空气再入孔，该孔通向自由空气，并装有一个控制阀的节流门，该节流门用于在处理结束后将所述空腔与大气连通。

参照附图，本发明的其它特征和优点体现在以下的详细描述中，其中：

图1是一个本发明的包括处理装置的机器的轴向剖视图，所示盖体处于打开位置；

图2是一个与图1相似的视图，所示盖体处于封闭空腔的位置；

图3是一个本发明的处理工位的不同组件的分解透视图；

图4是一个本发明的盖体的平面图；

图5是一个按图4中的线5-5剖切的视图，其示出连接通道的两个端部；

图6是一个控制容器内部与外部不同压强的阀门控制装置的剖视图。

图1和图2示出按本发明的处理工位10的轴向剖视图。此处的工位10是旋转机器的一部分，该机器包括一个绕垂直轴A0作连续旋转运动的循环输送装置12。该循环输送装置12在其周围装有一系列与图中所示相一致的处理工位10，该工位以规则的角度位置分布在轴A0周围。

处理工位10包括一个外腔室14，该腔室通过一个径向的支撑16固定在循环输送装置12的周围。外腔室14由一种比如金属的导电材料制成，并且构成一个具有垂直轴A0的管状圆柱体18的壁。该腔室在其底端由一个底壁20封闭。

可以看到，有一个箱体22固定在腔室14的外部，该箱体22包括用于在腔室内部产生一种能制造等离子体的电磁场的装置(未画出)。在这种情况下，该装置可以是能产生在UHF范围内，也就是在微波范围内的电磁射线的装置。于此，箱体22包括一个磁控管，其天线24通向波导26中。波导26为比如矩形截面的通道，相对垂直轴A0径向延伸并穿过侧壁18直接通向腔室14的内部。尽管如此，本发明也可用配有射频类型的射线源的机器的范围内实施，和/或源装置也可不同地布置，比如可布置在腔室14的底部轴端处。