[发明专利]用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂

权利要求书

1.一种制造具有最小栅极边缘掀起现象的快擦写内存装置的方法，其中所述方法包括：

(a)在基片上形成栅极叠层，其中该栅极叠层包括在所述基片上形成的隧道氧化物、在该隧道氧化物上形成的浮栅、在该浮栅上形成的介电层以及在该介电层上形成的控制栅；

(b)在所述栅极叠层和所述基片暴露出的部份上形成氧化物层；

(c)从所述栅极叠层的水平表面和所述基片暴露出的部份各向异性地蚀刻掉所述氧化物层；

(d)在所述基片上要形成源极区的部份上形成固态源极材料层；

(e)用所选的掺杂物离子掺杂所述固态源极材料层；及

(f)使所选的所述掺杂物离子扩散到所述基片内，形成源极区。

2.如权利要求1的方法，其中所述步骤(e)和(f)通过以下步骤完成：

(g)用第一掺杂物离子掺杂所述固态源极材料层；

(h)使所述第一掺杂物离子扩散到所述基片内，形成第一源极区；

(i)用第二掺杂物离子掺杂所述固态源极材料层；及

(j)使所述第二掺杂物离子扩散到所述基片内，形成第二源极区。

3.如权利要求1的方法，其中所述步骤(d)、(e)和(f)通过以下步骤完成：

(g)在所述基片上要形成源极区的部份上形成固态源极材料层，其中所述固态源极材料层经过第一和第二掺杂物离子的掺杂；

(h)使所述第一和第二掺杂物离子扩散到所述基片内，形成第一和第二源极区。

4.如权利要求1的方法，其中所述步骤(d)通过以下步骤完成：

(g)在所述栅极叠层和所述基片暴露出的部份上形成掩模材料层；

(h)将所述掩模材料层形成图形(patterning)，并用该经形成图形的掩模材料层来显像已暴露出所选定的所述基片上要形成源极区的部份。

5.如权利要求3的方法，其中所述步骤(g)是通过在掺杂着所述第一和第二掺杂物离子的玻璃材料上旋转而完成的。

6.如权利要求3的方法，其中所述步骤(g)是通过在所述基片上要形成源极区的部份上沉积经掺杂的多晶硅而完成的。