[发明专利]纯的熔凝二氧化硅,窑炉和方法

权利要求书

1.一种改进的制造熔凝二氧化硅体的方法，该方法包括：在氧化铝耐火材料建造的窑炉内将含硅化合物通入火焰形成熔融二氧化硅颗粒，并收集所述熔凝二氧化硅体颗粒，所述的改进包括收集二氧化硅颗粒的窑炉的至少一部分曾经预先与含反应性卤素气体接触进行反应，从而提纯除去耐火材料中的污染金属。

2.一种制造熔凝二氧化硅玻璃的方法，所述方法包括：

提供二氧化硅原料，

提供基本由氧化铝构成的炉顶，所述炉顶位于固结非多孔的熔凝二氧化硅玻璃体的上方，

将所述二氧化硅原料输送到安装在氧化铝炉顶内的多个反应部位燃烧器中，在燃烧器中所述二氧化硅原料转变为许多二氧化硅颗粒，沉积并固结成为所述的熔凝二氧化硅玻璃体。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述方法包括提供基本由氧化铝构成的杯体，所述氧化铝杯中盛装所述固结的非多孔熔凝二氧化硅玻璃体。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述提供的二氧化硅原料是高纯度二氧化硅原料，所述熔凝二氧化硅玻璃体的污染金属离子含量小于100ppb。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述提供的二氧化硅原料包含钛掺杂剂源物质，所述熔凝二氧化硅玻璃体是掺杂了钛的熔凝二氧化硅。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤，包括提供许多未经Cl处理的氧化铝耐火砖；将未经Cl处理的氧化铝耐火砖进行含反应性卤素气体的提纯处理，提供许多经卤素提纯处理的氧化铝耐火砖；并砌装所述经卤素处理提纯的氧化铝耐火砖，形成并提供所述基本为氧化铝的炉顶。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝杯体的步骤，包括提供许多未经Cl处理的氧化铝耐火材料部件；将未经Cl处理的氧化铝耐火材料部件进行含反应性卤素气体的提纯处理，提供许多经卤素提纯处理的氧化铝耐火材料部件，并砌装所述经卤素处理提纯的氧化铝耐火材料部件，形成并提供所述基本为氧化铝的杯体。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供未经涂布的氧化铝炉顶。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供基本不含Si的无二氧化硅的氧化铝炉顶。

10.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤，包括提供未烧结的氧化铝耐火材料前体，在至少1600℃烧结所述氧化铝耐火材料前体，提供烧结的氧化铝耐火材料，并砌装所述烧结的氧化铝耐火材料，形成并提供所述的炉顶。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述氧化铝耐火材料前体在至少1665℃烧结。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述氧化铝耐火材料前体在至少1670℃烧结。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述氧化铝耐火材料前体在至少1675℃烧结。

14.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供许多多孔的氧化铝耐火砖，将所述耐火砖砌装成所述炉顶，所述多孔耐火砖的孔隙率在25-70％范围。

15.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供许多氧化铝耐火砖，将所述耐火砖砌装形成圆拱形的炉顶。

16.如权利要求2所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供其体积密度＜3.9克/厘米³的氧化铝耐火材料。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于所述氧化铝玻璃材料的体积密度≥1.2克/厘米³。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供其体积密度≤3克/厘米³的氧化铝耐火材料。

19.如权利要求16所述的方法，其特征在于提供所述氧化铝炉顶的步骤包括提供其体积密度≤2.5克/厘米³的氧化铝耐火材料。