[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

具备由至少表面为绝缘性的衬底和被配置在上述衬底的表面上的半导体层构成的SOI衬底，上述半导体层具有被配置在其主表面上的第1导电型的第1有源区和第1导电型的第2有源区，

还具备：

隔离绝缘膜，被配置在上述第1、第2有源区间，在与上述衬底的上述表面之间留下作为上述半导体层的一部分的第1半导体区且被形成在上述半导体层的主表面上；

第1层间绝缘膜，被形成在上述第1和第2有源区以及上述隔离绝缘膜的表面上；

氮化硅膜，被形成在上述第1层间绝缘膜上；以及

第2层间绝缘膜，被形成在上述氮化硅膜的表面上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述衬底包含半导体衬底和被配置在上述半导体衬底的整个主表面上的埋入绝缘膜，

上述半导体装置还具备：

第2导电型的第1源区和漏区，隔开规定的距离被形成在上述第1有源区的半导体层的主表面上；

第1栅电极，介入第1栅绝缘膜被形成在上述半导体层的主表面上，以便与被上述第1源区和漏区夹住的区域对置；

第1导电型的第1杂质区，被形成在上述第2有源区中，经上述隔离绝缘膜下的上述第1半导体区与被上述第1源区和漏区夹住的区域导电性地连接；以及

第1、第2和第3布线，通过贯通上述第1、第2层间绝缘膜和上述氮化硅膜被形成的接触孔分别与上述第1源区、漏区和上述第1杂质区连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体层还具有被配置在其主表面上的第2导电型的第3有源区和第2导电型的第4有源区，

上述隔离绝缘膜还被配置在上述第3有源区和上述第1有源区与上述第4有源区之间，被配置在上述第3、第4有源区间的上述隔离绝缘膜在与上述埋入绝缘膜之间留下作为上述半导体层的一部分的第2半导体区且被形成在上述半导体层的主表面上，被配置在上述第1、第4有源区间的上述隔离绝缘膜在与上述埋入绝缘膜之间留下作为上述半导体层的一部分的第3半导体区且被形成在上述半导体层的主表面上，

上述半导体装置具备：

第1导电型的第2源区和漏区，隔开规定的距离被形成在上述第4有源区的半导体层的主表面上；

第2栅电极，介入第2栅绝缘膜被形成在上述半导体层的主表面上，以便与被上述第2源区和漏区夹住的区域对置；以及

第2导电型的第3杂质区，被形成在上述第3有源区的主表面中，经上述隔离绝缘膜下的上述第2半导体区与被上述第2源区和漏区夹住的区域导电性地连接，

上述第1层间绝缘膜、上述氮化硅膜和上述第2层间绝缘膜分别延伸到上述第3和第4有源区的半导体层的表面上而被形成，

上述半导体装置还具备第4、第5和第6布线，通过在上述第1、第2层间绝缘膜和上述氮化硅膜中被形成的接触孔分别与上述第2源区、漏区和上述第3杂质区连接。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体层还具有被配置在其主表面上的第2导电型的第3有源区和第2导电型的第4有源区，

上述隔离绝缘膜还被配置在上述第3有源区和上述第1有源区与上述第4有源区之间，被配置在上述第3、第4有源区间的上述隔离绝缘膜在与上述埋入绝缘膜之间留下作为上述半导体层的一部分的第2半导体区且被形成在上述半导体层的主表面上，被配置在上述第1、第4有源区间的上述隔离绝缘膜到达上述埋入绝缘膜而被形成，

上述半导体装置具备：

第1导电型的第2源区和漏区，隔开规定的距离被形成在上述第4有源区的半导体层的主表面上；

第2栅电极，介入第2栅绝缘膜被形成在上述半导体层的主表面上，以便与被上述第2源区和漏区夹住的区域对置；以及

第2导电型的第3杂质区，被形成在上述第3有源区的主表面中，经上述隔离绝缘膜下的上述第2半导体区与被上述第2源区和漏区夹住的区域导电性地连接，

上述第1层间绝缘膜、上述氮化硅膜和上述第2层间绝缘膜分别延伸到上述第3和第4有源区的半导体层的表面上而被形成，

上述半导体装置还具备通过在上述第1、第2层间绝缘膜和上述氮化硅膜中被形成的接触孔分别与上述第2源区、漏区和上述第3杂质区连接的布线。