[发明专利]侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法

权利要求书

1.侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：

a.含端酚羟基液晶化合物的制备

将起始原料(其中所述原料份数除特殊说明外，均为摩尔份数)对位含极性取代基的苯甲酰卤0.1～10.0份，二元酚类化合物0.1～10.0份，以及催化剂0.01～1.0份，溶剂5～100份，于0～35℃反应8～10小时，粗产物经分离提纯，可制备含端酚羟基的芳酯液晶化合物I和II，其结构式如下：

                   M＝-OR，-COR，-CN，-X

               其中R＝C_mH_2m+1，m＝1～3，X＝F，Cl

b、含液晶侧链的芳族二元胺化合物的制备

将二硝基苯甲酰卤0.1～10.0份，含端酚羟基的液晶化合物0.1～10.0份，溶剂5～100份和催化剂0.01～1.0份加入带有搅拌器和温度计的反应釜中，于-5～0℃的冰浴中反应8～10小时，粗产物经分离提纯后，得含液晶侧链的二硝基化合物，再将前述二硝基化合物0.1～5.0份用1～10.0份的溶剂溶解，在1％的催化剂存在下，用还原剂还原，即可制备含液晶侧链的芳族二元胺化合物，其结构式如下：

     F＝H，CN              M＝-OR，-COR，-CN，-X

                     其中  R＝C_mH_2m+1，m＝1～3，X＝F，Cl

c、侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法

将含液晶侧链的芳族二元胺0.02～4.0份，含柔性桥接基的芳族二元胺0.08～6.0份，芳族四羧酸二酐0.1～10.1份，溶剂0.5～100.0份，在-5～0℃的冰浴中反应12小时，得中间体聚酰胺酸溶液，然后于匀胶机上旋转涂膜，在0.08～0.1atm的负压下，于温度110℃，2小时，160℃，2小时，200℃，1小时，250℃，1小时酰亚胺化处理，得到具有明显侧链液晶原位复合自增强特征的聚酰亚胺薄膜或主、侧链均含液晶基元的组合型液晶聚酰亚胺薄膜；将上述薄膜在玻璃化转变温度附近退火或电场极化，可获得侧链液晶基元取向度更高、原位复合自增强作用更加明显的聚酰亚胺薄膜，侧链液晶聚酰亚胺的结构式如下：

                   M＝-OR，-COR，-CN，-X

               其中R＝C_mH_2m+1，m＝1～3，X＝F，Cl

2.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于所述对位含极性取代基的苯甲酰卤为对甲氧基苯甲酰卤，对乙氧基苯甲酰卤，对氰基苯甲酰卤和/或对氯苯甲酰卤至少一种；二硝基苯甲酰卤为3，5-二硝基苯甲酰卤，2，4-二硝基苯甲酰卤和/或2，5-二硝基苯甲酰卤至少一种。

3.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于催化剂或吸酸剂为碳—钯、吡啶、乙酸酐、N，N-二甲基苄胺和/或咪唑至少一种。

4.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于含柔性桥接基团的芳族二元胺为3，3’-二胺基二苯醚，4，4’-二胺基二苯醚，三苯二醚二胺，4，4’-二胺基二苯甲烷和/或4，4’-二胺基联苯至少一种。

5.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于含柔性桥接基团的芳族四羧酸二酐为二苯醚四羧酸二酐，3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐和/或2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐至少一种。

6.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于溶剂为N-甲基吡咯烷酮，N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、甲苯、冰醋酸、甲醇、二氯乙烷和/或石油醚至少一种。

7.按照权利要求1所述侧链液晶聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于还原剂为氢气、水合肼和/或锌—盐酸至少一种。