[发明专利]具有内建电容的多层基板及其制造方法无效
申请号: | 01109168.1 | 申请日: | 2001-03-16 |
公开(公告)号: | CN1376021A | 公开(公告)日: | 2002-10-23 |
发明(设计)人: | 蔡进文;吴忠儒;林蔚峰 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K1/16;H01G4/40 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电容 多层 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有内建电容的多层基板制造方法,其特征在于:该方法至少包含下列步骤:
形成多个洞于该多层基板之中,该多个洞是预留以做为该多层基板的连接洞,且该多层基板至少包含一第一介电层,一第二介电层及一第三介电层,该第二介电层上下两面具有第二导体层以预做为电压层及一接地层,而该第一介电层及该第三介电层则分别有一第一导体层及一第三导体层,该第二介电层与第二导体层并有贯孔以预留做为内建电容;
填入比第二介电层的介电常数高的电容填充介电材料于上述第二介电层的贯孔中并固化之;
以干膜遮蔽该第二导体层需要镀铜的区域;
施以蚀刻处理,用以去除曝露的第二导体层以分别形成该接地层及该电压层于该第二介电层的上、下;
去除该干膜;
镀铜处理该第二介电层,用以沉积铜层于该接地层及该电压层上,封住该贯孔以形成电容器;
将该第一导体层/该第一介电层/该接地层/该第二介电层/该电压层/该第三介电层/该第三导体层组装并热压合以形成多层基板雏型;
分别图案化该第一导体层,该第三导体层以形成具有连接线的信号层;及
施以贯孔电镀以连接该电压层,及接地层与对应的各该信号层。
2.如权利要求1所述的具有内建电容的多层基板制造方法,其特征在于:还包含在第一导体层,及该第三导体层的其中之一形成至少一电压环及一接地环,该电压环及接地环并分别连接至电源层及接地层。
3.如权利要求1所述的具有内建电容的多层基板制造方法,其特征在于:还包含在上述第一介电层的多个洞的其中若干个填入第二种电容填充介电材料于其内,该第二种电容填充介电材料的介电常数不同于第一介电层及上述的电容填充介电材料的介电常数,用以形成不同电容量的电容器。
4.一种具有内建电容的多层基板,其特征在于:该多层基板至少包含:
一具有一上信号层/一第一介电层/一接地层/一第二介电层/一电源层/一第三介电层/一下信号层的组装电路板,该组装电路板具有多个连接洞;及
该第二介电层内具有至少一个已填入一种电容填充介电材料的洞于该电源层及该接地层内,以形成电容器,该电容填充介电材料比第二介电层的介电常数明显高,且该上信号层至少包含一接地环及一电力环并分别有介层连接至接地层及该电力层。
5.如权利要求4所述的具有内建电容的多层基板,其特征在于:还包含有第二种电容填充介电材料于上述第二介电层的所形成的电容,第二种电容填充介电材料的介电常数不同于第一介电层及电容填充介电材料的介电常数。
6.如权利要求4所述的具有内建电容的多层基板,其特征在于:该多层基板是用以承载BGA芯片或覆晶芯片组或做为印刷电路母板使用。
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