[发明专利]半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法

权利要求书

1．一种半导体存储装置的数据读出方法，是由一对电极与强电介质组成的电容器和场效应晶体管构成的、所述电容器的一边的电极与所述场效应晶体管的栅极连接或所述电容器的一边的电极兼作所述场效应晶体管的栅极，而将所述电容器的另一边的电极作为控制电极并将电压加到所述控制电极上从而通过改变所述强电介质的极化来改变所述场效应晶体管的沟道电阻并利用所述沟道电阻的高低来表示2值数据的半导体存储装置的数据读出方法，其特征在于：

在所述场效应晶体管的阈值电压为正时，就将正电压加到所述控制电极上，在所述场效应晶体管的阈值电压为负时，就将负电压加到所述控制电极上。

2．根据权利要求1所述的半导体存储装置的数据读出方法，其特征在于：在所述场效应晶体管的阈值电压为正时，加到所述控制电极上的电压值是以将在所述电容器的剩余极化值为0(C/cm²)的状态将电极间电压从0V开始增加而改变极化值时发生与阈值电压加到所述场效应晶体管的栅极上时在沟道上感应的电荷相当的极化值的电极间电压与所述场效应晶体管的阈值电压求和而得到的电压值为中心±20％以内的电压值；

在所述场效应晶体管的阈值电压为负时，就是以将在所述电容器的剩余极化值为0(C/cm²)的状态将电极间电压从0V开始减小而改变极化值时发生与阈值电压加到所述场效应晶体管的栅极上时在沟道上感应的电荷相当的极化值的电极间电压值与所述场效应晶体管的阈值电压求和而得到的电压值为中心±20％以内的电压值。

3．一种半导体存储装置的数据写入方法，是由一对电极与强电介质组成的电容器和场效应晶体管构成的、所述电容器的一边的电极与所述场效应晶体管的栅极连接或所述电容器的一边的电极兼作所述场效应晶体管的栅极，而将所述电容器的另一边的电极作为控制电极并将电压加到所述控制电极上从而通过改变所述强电介质的极化来改变所述场效应晶体管的沟道电阻并利用所述沟道电阻的高低来表示2值数据的半导体存储装置的数据写入方法，其特征在于：

加到所述控制电极上的电压值在施加电压后的无电压施加状态处于所述场效应晶体管成为非导通状态的范围内。

4．一种半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：

在利用权利要求3所述的半导体存储装置的数据写入方法进行数据写入之后，将复位电压加到所述控制电极上。

5．一种半导体存储装置的数据读出方法，是根据权利要求3所述的半导体存储装置的数据写入方法进行数据写入的半导体存储装置的数据读出方法，其特征在于：

在所述场效应晶体管的阈值电压为正时，就将正电压并且小于所述场效应晶体管的阈值电压的电压加到所述控制电极上；在所述场效应晶体管的阈值电压为负时，就将负电压并且大于所述场效应晶体管的阈值电压的电压加到所述控制电极上。

6．根据权利要求5所述的半导体存储装置的数据读出方法，其特征在于：由所述一对电极与强电介质组成的电容器和所述场效应晶体管构成的多个半导体存储装置排列成矩阵状，所述场效应晶体管的漏极与位线连接、源极与源极线连接、第2场效应晶体管的源极与控制电极连接，所述第2场效应晶体管的栅极与第1字线连接、漏极与第2字线连接。