[发明专利]非挥发性内存控制电路及其控制方法

权利要求书

1.一种非挥发性内存控制电路，适用于具有一源极、一漏极、一控制栅、以及一基体极的一非挥发性存储单元；该非挥发性内存控制电路包括：

一电压源；

一第一电荷泵电路，连接该电压源升压产生一第一正电压；

一字符线开关，选择该电压源和该第一正电压中的一者及于该控制栅；

一第二电荷泵电路，连接该电压源升压产生一第二正电压；

一源极开关，选择一接地电位和该第二正电压中的一者及于该源极；

一第三电荷泵电路，连接该电压源产生一第一负电压；以及

一基体极开关，选择该接地电位和该第一负电压中的一者及于该基体极。

2.如权利要求1所述的非挥发性内存控制电路，尚包括一分压电路，连接该电压源经分压产生该控制栅所建构的MOS晶体管架构的一门限电压值。

3.如权利要求1所述的非挥发性内存控制电路，其中，该非挥发性存储单元是设置于一N型半导体基板内的一P型井区内。

4.如权利要求1所述的非挥发性内存控制电路，其中，该非挥发性存储单元是设置于一N型井区内的一P型井区内，而该N型井区是形成于一P型半导体基板内。

5.一种非挥发性内存控制方法，适用于具有一源极、一漏极、一控制栅、以及一基体极的一非挥发性存储单元；该非挥发性内存控制方法，是于一抹除操作下，提供一正电压至该控制栅，而提供一负电压至该基体极。

6.如权利要求5所述的非挥发性内存控制方法，其中，当于该抹除操作下，该漏极和源极是呈高阻抗状态。