[发明专利]单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法

权利要求书

1.一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其步骤包括：

提供一第一型半导体基底，且该第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区；

在该只读区内和该焊垫区分别形成多个第一栅极和多个第二栅极；

在每一个位于该只读区内的第一栅极两侧基底内形成一第二型源极/漏极区；

依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于该只读区和该焊垫区表面；

利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义该第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述第二型源极/漏极表面的接触开口；

形成多个对准该第二栅极的金属图案于该第二绝缘层上；

形成一保护层于该第二绝缘层上，并且覆盖该些金属图案；

形成一光阻层于该保护层上，且该光阻层并且具有一对准于该第一和第二栅极的第一开口和第二开口；

以该光阻层作为蚀刻掩膜，回蚀刻该第一开口下的该保护层和部分该第二绝缘层以及该第二开口下的该保护层；

实施一信道注入步骤，使得第一型杂质可经过该第一开口而穿透上述第一栅极，并且在上述第一栅极底下的基底内形成一信道区；以及

实施一热退火处理。

2.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第一型是P型，该第二型是N型。

3.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第一型是N型，该第二型是P型。

4.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第一栅极和该第二栅极均包含有一栅极氧化层和一位在该栅极氧化层表面的多晶硅层。

5.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第一绝缘层是由未掺杂的常压化学气相沉积层所构成。

6.如权利要求5所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第一绝缘层是由未掺杂的硅玻璃所构成。

7.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该第二绝缘层是由硼磷硅玻璃构成。

8.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该保护层是选自磷玻璃和氮化硅。

9.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该金属层是选自铜、铝、铝铜合金、铝硅铜合金。

10.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该热退火步骤是于425～550℃环境中，处理60～90分钟而完成。

11.如权利要求2所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该信道注入步骤所用的杂质是选自含硼杂质所构成的族群。

12.如权利要求11所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该信道杂质的注入剂量为大于1×10¹³ions/cm²，且杂质的注入能量为100～150keV。

13.如权利要求3所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该信道注入步骤所用的杂质是选自磷和砷。

14.如权利要求13所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其中该信道杂质的注入剂量为大于1×10¹⁴ions/cm²，且杂质的注入能量为大于300keV。