[发明专利]单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法

说明书

本发明涉及一种掩膜只读存储器的方法，且特别是涉及一种利用单一程序化掩膜以定义掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法。

接到客户订单后，一般是在掩膜只读存储器(Mask ROM)上，再加一道掩膜层，利用离子注入法进行只读存储器的编码程序，然后再形成焊垫区。不过，由于形成焊垫区时需要额外的一层掩膜层以覆盖已经编码的只读存储器区，因此所需要的成本较高。为使现有工艺方法更清楚可见，兹将于第1A～1F图中，详细说明之。

首先，请参照图1A，提供一P型半导体基底100，其上并区分为一只读区和一焊垫区。其次，先依序形成一栅极氧化层120和一多晶硅层130于P型半导体基底100上，然后再以蚀刻平板印刷技术和和蚀刻技术定义多晶硅层130和栅极氧化层120，并分别于只读区和焊垫区形成多个栅极135和135’。接着，利用一露出该只读区的掩膜(未显示)施行源极/漏极注入，使得N型杂质，例如砷或磷，可于栅极135两侧的基底内形成一源极/漏极扩散区110。其中，源极/漏极注入时的N型杂质的能量为大于30keV，且其注入剂量为大于1×10¹³ions/cm²。

然后，请参照图1B，先形成一利用常压化学气相沉积法形成一未掺杂的介电层140，例如未掺杂的硅玻璃(USG)，适顺性地覆盖只读区和焊垫区表面。接着，再形成一硼磷硅玻璃层150于未掺杂的介电层140表面。

接着，请参照图1C，硼磷硅玻璃层150先经平坦化处理后，形成一平坦的硼磷硅玻璃层150’。然后，先利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术挖出栅极130以及源极/漏极110的接触开口后(未显示)，再于硼磷硅玻璃层150表面形成一金属层160。接着，定义此金属层160，于焊垫区的栅极135上方形成一金属图案160。

然后，请参照图1D，利用化学气相沉积法形成一保护层170于只读区以及焊垫区的硼磷硅玻璃层150上，并且覆盖焊垫区的金属图案160。接着，再利用蚀刻平板印刷技术于只读区和焊垫区的保护层170上形成一光阻层175，其并且具有对准金属图案160的蚀刻开口180。然后，干蚀刻去除蚀刻开口180下的保护层170，直至露出金属图案160表面为止。

接着，请参照图1E，去除光阻层175后，再形成另一光阻层185于焊垫区和只读区上，且此光阻层185在只读区并具有一对准栅极135的蚀刻窗口190。然后，干蚀刻去除蚀刻窗口190下的保护层170以及部分的硼磷硅玻璃层150’。

最后，请参照图1F，以上述的光阻层185作为信道注入掩膜，施一信道注入，使得P型杂质可经过蚀刻窗口190穿透只读区内的栅极135，并且在栅极135下的基底内形成一P型信道195，完成掩膜只读存储器的编码动作。

不过，由于上述的掩膜只读存储器的焊垫的定义和编码步骤是使用两个不同的掩膜，因此并不符合成批生产的要求且成本较高，因此开发出一种可整合焊垫的定义和编码步骤，使其可使用单一掩膜而完成的制备过程，便是本发明的特征所在。

本发明目的的是提供一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的制造方法，它披露一种利用单一程序化掩膜以定义掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其步骤主要是先提供一第一型半导体基底，且此第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区。其次，先在只读区内和焊垫区内分别形成多个第一栅极和多个第二栅极，并且在每一个位于只读区内的第一栅极两侧基底内形成一第二型源极/漏极区。然后，依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于只读区和焊垫区表面，接着利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述第二型源极/漏极表面的接触开口。形成多个对准第二栅极的金属图案于第二绝缘层上后，再形成一保护层于该第二绝缘层上，并且覆盖这些金属图案。接着，形成一光阻层于此保护层上，且此光阻层并且具有一对准于第一和第二栅极的第一开口和第二开口。然后，以上述的光阻层作为蚀刻掩膜，回蚀刻第一开口下的保护层和部分第二绝缘层以及第二开口下的保护层。再者，施一信道注入步骤，使得第一型杂质可经过第一开口而穿透上述第一栅极，并且在上述第一栅极底下的基底内形成一信道区。最后，施一热退火处理，便可完成掩膜只读存储器的编码动作。