[发明专利]分离栅极式闪存的制造方法

权利要求书

1、一种分离栅极式闪存的制造方法，适用在一基底上，其特征在于：其至少包括：

在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层；

定义硬罩幕层，在硬罩幕层中形成漏极开口与浮置栅开口，暴露出该第一导电层；

在漏极开口与浮置栅开口暴露出第一导电层上形成第一复-氧化物层与第二复-氧化物层；

去除第一复-氧化物层以及被第一复-氧化物层覆盖的第一导电层，暴露出漏极开口中的基底；

在漏极开口暴露出的基底形成漏极区；

去除硬罩幕层；

以第二复-氧化物层为罩幕，蚀刻第一导电层，形成浮置栅；

在浮置栅与基底上形成分离栅极氧化物层；

在第二复-氧化物层上形成第二导电层，定义第二导电层而形成一控制栅；以及

在浮置栅侧边的基底形成源极区。

2、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中硬罩幕层包括氮化硅层。

3、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中第一复-氧化物层与该第二-复氧化物层是对第一导电层进行氧化步骤而形成。

4、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中去除第一复氧化物层以及被第一复-氧化物层覆盖的第一导电层的步骤包括：

利用光阻覆盖第二复-氧化物层；以及

以硬罩幕层为罩幕，对基底进行不等向性蚀刻，去除第一复-氧化层与其覆盖的第一导电层。

5、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中漏极区是利用离子植入基底而形成，之后进行趋入步骤，而在该漏极区的基底表面形成氧化物层。

6、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中去除硬罩幕层包括以湿蚀刻法进行。

7、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中以第二复-氧化物层为罩幕，蚀刻第一导电层的步骤是利用不等向性蚀刻法进行。

8、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中在形成分离栅极氧化物层后，形成第二导电层前包括在该浮置栅侧边形成绝缘间隙壁。

9、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中第一导电层包括复晶硅层。

10、根据权利要求1所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中第二导电层包括复晶硅层。

11、一种分离栅极式闪存的制造方法，适用在一基底上，其特征在于：该制造方法至少包括：

在基底上依序形成穿隧氧化物层、第一导电层与硬罩幕层；

定义硬罩幕层，在硬罩幕层中形成漏极开口与浮置栅开口，暴露出第一导电层；

去除漏极开口中的第一导电层，暴露出基底；

在该漏极开口暴露出的该基底形成一漏极区；

在浮置栅开口暴露出的第一导电层形成复-氧化物，在漏极区的基底表面形成氧化物层；

去除硬罩幕层；

以复-氧化物层为罩幕，蚀刻第一导电层，形成浮置栅；

在浮置栅与基底上形成分离栅极氧化物层；

在复-氧化物层上形成第二导电层，定义第二导电层而形成控制栅；以及

在浮置栅侧边的基底形成源极区。

12、根据权利要求11所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中硬罩幕层包括氮化硅层。

13、根据权利要求11所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中去除漏极开口中的第一导电层的步骤包括在浮置栅开口覆盖一光阻，以硬罩幕层为罩幕，以不等向性蚀刻法蚀刻第一导电层，直到暴露出基底。

14、根据权利要求第11所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中漏极区是利用离子植入基底而形成。

15、根据权利要求11所述的分离栅极式闪存的制造方法，其特征在于：其中在浮置栅开口暴露出的第一导电层形成复-氧化物，在漏极区的基底表面形成氧化物层是在对该漏极区进行趋入步骤时形成。