[发明专利]增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：包括：

一基底；

一复数隔离区，形成在该基底中；

一第一导电层，形成在该基底与该复数隔离区上，该第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在该复数隔离区的每一个上；

一第二导电层，形成在该第一导电层上，该第二导电层以界面隔离该第一导电层以增加一表面积，进而增加偶合比。

2.根据权利要求1所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：它还包括一内导电介电层，形成在该第一与该第二导电层中间。

3.根据权利要求2所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：在该内导电介电层内包括第一层与第二层的二氧化硅(SiO₂)层，以及位于中间的一层氮化硅(Si₃N₄)层。

4.根据权利要求1所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：该第一导电层的垂直侧壁是通过具有垂直侧壁的一介电罩幕而形成。

5.根据权利要求1所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：该第一导电层以及该第二导电层包括一多晶硅材质。

6.根据权利要求1所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：该第二导电层形成一控制栅电极。

7.根据权利要求1所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：通过硅的区域氧化法(Local Oxidation，LOCOS)以形成该复数隔离区。

8.根据权利要求3所述的增加偶合比的非挥发性存储装置，其特征在于：它还包括一介电层，形成在该复数隔离区每一个之间的该基底上。

9.一种制造增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：步骤包括：

在一基底中形成一复数隔离区；

在该基底与该复数隔离区上形成一第一导电层，该第一导电层的一对侧壁以垂直的方式形成在该复数隔离区的每一个上；

在该第一导电层上形成一第二导电层，该第二导电层以界面隔离该第一导电层以增加一表面积，进而增加偶合比。

10.根据权利要求9所述的制造增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：它还包括在该第一与该第二导电层中间形成一内导电介电层的步骤。

11.根据权利要求10所述的制造增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：在该内导电介电层内包括第一层与第二层的二氧化硅(SiO₂)层，以及位于中间的一层氮化硅(Si₃N₄)层。

12.根据权利要求9所述的制造增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：形成该第一导电层的步骤再包括形成一具有垂直侧壁的介电罩幕以形成该第一导电层的该垂直侧壁的步骤。

13.根据权利要求9所述的制造增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：该第一导电层以及该第二导电层包括一多晶硅材质。

14.根据权利要求9所述的形成增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：该第二导电层形成一控制栅电极。

15.根据权利要求9所述的形成增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：通过硅的区域氧化法以形成该复数隔离区。

16.根据权利要求11所述的形成增加偶合比的非挥发性存储装置的方法，其特征在于：它还包括在该复数隔离区每一个之间的该基底上形成一介电层的步骤。